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龙图腾网恭喜苏州旗芯微半导体有限公司申请的专利MCU电源控制电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119396068B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510000535.7，技术领域涉及：G05B19/042；该发明授权MCU电源控制电路是由吴建舟;陈志军;王洋设计研发完成，并于2025-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本MCU电源控制电路在说明书摘要公布了：本发明提供一种MCU电源控制电路，包括MCU、外部电压产生模块、第一电阻，MCU具有第一电源端、第二电源端、第三电源端、内部第一电压产生模块，第一电源端为输入端，接受外部电源的输入，给MCU供电，第二电源端为输出端，经由内部第一电压产生模块与第一电源端相连，内部第一电压产生模块产生第一中间电压，由第二电源端向外部输出，第三电源端为核电压端，向MCU内部的核提供核工作电压，第二电源端与第一电阻的第一端、外部电压产生模块的输入端耦接，第一电阻的第二端接地，外部电压产生模块的输出端与第三电源端耦接，MCU通过第二电源端进行待机、唤醒模式的切换。本发明MCU电源控制电路功耗较低。

本发明授权MCU电源控制电路在权利要求书中公布了：1.一种MCU电源控制电路，其特征在于，所述MCU电源控制电路包括MCU、外部电压产生模块、第一电阻，所述MCU具有第一电源端、第二电源端、第三电源端、内部第一电压产生模块，所述第一电源端为输入端，接受外部电源的输入，给所述MCU供电，所述第二电源端为输出端，经由所述内部第一电压产生模块与所述第一电源端相连，所述内部第一电压产生模块产生第一中间电压，由所述第二电源端向外部输出，所述第三电源端为核电压端，向所述MCU内部的核提供核工作电压，所述第二电源端与所述第一电阻的第一端、所述外部电压产生模块的输入端耦接，所述第一电阻的第二端接地，所述外部电压产生模块的输出端与所述第三电源端耦接，所述MCU通过所述第二电源端进行待机、唤醒模式的切换；所述MCU电源控制电路还包括第一NMOS管、第一PMOS管、第二电阻、第三电阻，所述第一电源端经由所述第三电阻与所述第一NMOS管的漏端、所述第一PMOS管的栅端相连，也与所述第一PMOS管的源端直接相连，所述第二电源端与所述第一NMOS管的栅端相连，所述第一NMOS管的源端接地，所述第一PMOS管的漏端经由所述第二电阻接地，所述第一PMOS管的漏端与所述外部电压产生模块的输入端相连。

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