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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司信息科学研究院申请的专利一种结构化微型电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119361798B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411898521.3，技术领域涉及：H01M10/0525；该发明授权一种结构化微型电池及其制备方法是由徐迁;彭志龙;胡超胜;高源;严英占;许静设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种结构化微型电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例提供一种结构化微型电池及其制备方法。所述电池包括硅基片、硅纳米线簇负极结构、电解质层和正极材料层；所述硅纳米线簇负极结构设置于所述硅基片；所述硅纳米线簇负极结构包括多个硅纳米线簇；所述电解质层和所述正极材料层依次层叠围设于所述硅纳米线簇负极结构。本公开的实施例通过增加电极的表面积，可以提供更大的活性材料与电解质接触界面，并且离子和电子在电极之间的传输路径更短，从而有利于提高电池的容量、反应速率和功率密度。同时硅纳米线的柔软性使其对于充放电循环过程中锂离子嵌入脱出引起的形变具有更好的耐受性，不会导致材料的疏松和断裂，避免了性能衰减，能够全面提升电池在循环过程中的稳定性。

本发明授权一种结构化微型电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种结构化微型电池，其特征在于，所述电池包括硅基片、硅纳米线簇负极结构、电解质层和正极材料层；所述硅纳米线簇负极结构设置于所述硅基片；所述硅纳米线簇负极结构包括多个硅纳米线簇，各所述硅纳米线簇的宽度为1μm~50μm，各所述硅纳米线簇的高度为10μm~200μm，各所述硅纳米线簇之间的中心间距为1μm~100μm；其中，所述硅纳米线簇负极结构通过如下方法制备：在硅基片表面通过等离子增强气相沉积形成二氧化硅薄膜；在所述二氧化硅薄膜上旋涂第一光刻胶并进行掩模曝光显影，形成周期阵列图案；通过干法刻蚀二氧化硅薄膜，使所述二氧化硅薄膜形成与所述第一光刻胶对应的周期阵列图案；去除所述第一光刻胶，根据周期阵列图案对所述硅基片进行干法刻蚀形成多个硅微米柱；去除所述二氧化硅薄膜，在具有所述硅微米柱的所述硅基片上旋涂覆盖第二光刻胶，并减薄所述第二光刻胶以使所述硅微米柱的顶端暴露；通过湿法刻蚀将所述多个硅微米柱制备成多个硅纳米线簇，去除所述第二光刻胶，得到硅纳米线簇负极结构；所述电解质层和所述正极材料层依次层叠围设于所述硅纳米线簇负极结构。

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