恭喜北京怀柔实验室;北京智慧能源研究院王磊获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京怀柔实验室;北京智慧能源研究院申请的专利半导体器件的加工方法、用于半导体器件加工的夹具获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119340220B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411890620.7,技术领域涉及:H01L21/56;该发明授权半导体器件的加工方法、用于半导体器件加工的夹具是由王磊;李文源;金锐;周扬;李浩;郑超;赵波;梁玉;李学宝;赵志斌;崔翔设计研发完成,并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的加工方法、用于半导体器件加工的夹具在说明书摘要公布了:本发明提供了一种半导体器件的加工方法、用于半导体器件加工的夹具,其中,半导体器件的加工方法包括:得到基体;在基体上设置芯片;在基体上形成封装体,封装体具有顶部通孔,顶部通孔露出芯片的测温区域;在顶部通孔内穿设止挡件,止挡件的端部遮住测温区域;在封装体、基体以及止挡件之间填充绝缘胶体。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中测量半导体器件的结温时,需要去除半导体器件的外壳而导致半导体器件可能受到损伤的问题。
本发明授权半导体器件的加工方法、用于半导体器件加工的夹具在权利要求书中公布了:1.一种半导体器件的加工方法,其特征在于,包括:得到基体(10);在所述基体(10)上设置芯片(20);在所述基体(10)上形成封装体(30),所述封装体(30)具有顶部通孔(31),所述顶部通孔(31)露出所述芯片(20)的测温区域;在所述顶部通孔(31)内穿设止挡件(40),所述止挡件(40)的端部遮住所述测温区域;在所述封装体(30)、所述基体(10)以及所述止挡件(40)之间填充绝缘胶体;所述芯片(20)的测温区域的面积小于所述芯片(20)远离所述基体(10)的一侧的面积;所述止挡件(40)为空心结构,所述止挡件(40)包括:管体(41)及嵌套设置在所述管体(41)的顶部的封堵柱(42)。
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