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龙图腾网恭喜淮安捷泰新能源科技有限公司申请的专利TOPCon太阳能电池的正面结构、背面结构、TOPCon太阳能电池及制备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342908B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411889459.1，技术领域涉及：H10F10/14；该发明授权TOPCon太阳能电池的正面结构、背面结构、TOPCon太阳能电池及制备是由安欣睿;张光振;邓加晓;毛卫平设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本TOPCon太阳能电池的正面结构、背面结构、TOPCon太阳能电池及制备在说明书摘要公布了：本发明公开了TOPCon太阳能电池的正面结构、背面结构、TOPCon太阳能电池及制备，属于太阳能电池技术领域，本发明提供的TOPCon太阳能电池的正面结构，仅在电极区域设置有第一元素扩散层，并在所述第一元素扩散层叠层有第一元素掺杂的多晶硅，所述第一电极与所述第一元素掺杂的多晶硅接触，这样的结构设计降低了电池的复合电流和接触电阻。该正面结构中，不论N型或是P型，表面或是电极的接触区域，均可实现极低的复合，显著提升电池的开路电压（Voc）。

本发明授权TOPCon太阳能电池的正面结构、背面结构、TOPCon太阳能电池及制备在权利要求书中公布了：1.一种TOPCon太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：步骤A1：对硅片双面进行制绒、清洗；步骤A2：在硅片背面沉积隧穿氧化层、未经掺杂的多晶硅层；步骤A3：对未经掺杂的多晶硅进行第二元素的掺杂处理，使未经掺杂的多晶转化为第二元素掺杂的多晶硅；步骤A4：对硅片正面进行含有第二元素的硅玻璃的去除、制绒、清洗处理；步骤A5：在硅片正面先沉积隧穿氧化层，再利用PECVD法沉积含有第一元素的硅玻璃层；步骤A6：利用激光对硅片正面进行局部处理，处理后形成电极区域，所述电极区域的含有第一元素的硅玻璃转化为掺杂有第一元素的多晶硅；同时，所述硅玻璃层含有的第一元素穿过隧穿氧化层，在所述硅片正面的对应电极区域的基体表面形成第一元素扩散层；步骤A7：对硅片正面的非电极区域进行含有第一元素的硅玻璃的去除处理；同时，对硅片背面进行含有第二元素的硅玻璃的去除处理；步骤A8：在硅片双面沉积形成钝化层、减反射层；步骤A9：在所述硅片的双面印刷、烧结形成第一电极、第二电极；其中，所述第一元素为硼元素，所述第二元素磷元素，所述硅片为硼掺杂的P型硅片。

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