恭喜北京怀柔实验室李翠获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京怀柔实验室申请的专利MOSFET器件的元胞结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300412B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411828382.7，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权MOSFET器件的元胞结构及其制备方法是由李翠;金锐;和峰;刘江;葛念念;李哲洋;崔翔;葛欢设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本MOSFET器件的元胞结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种MOSFET器件的元胞结构及其制备方法，元胞结构包括：衬底；第一外延层，第一外延层在背离衬底的一侧具有第一表面，第一外延层具有第一掺杂类型；第一掺杂区，位于第一外延层中，第一掺杂区由第一表面向衬底方向离子注入形成，第一表面具有未形成第一掺杂区的多个间隔区域，第一掺杂区位于任意相邻两个间隔区域之间；第二外延层，位于第一表面上，第二外延层至少覆盖部分第一掺杂区，第二外延层的掺杂浓度低于第一掺杂区的掺杂浓度，第一掺杂区或第二外延层具有多个凸起部。优化了沟道下方掺杂配置和沟道宽度，改善了MOS器件的正向导通特性。
本发明授权MOSFET器件的元胞结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET器件的元胞结构，其特征在于，包括：衬底，具有第一掺杂类型；第一外延层，位于所述衬底的一侧，所述第一外延层在背离所述衬底的一侧具有第一表面，所述第一外延层具有第一掺杂类型；第一掺杂区，位于所述第一外延层中，所述第一掺杂区由所述第一表面向衬底方向离子注入形成，所述第一表面具有未形成所述第一掺杂区的多个间隔区域，所述第一掺杂区位于任意相邻两个所述间隔区域之间，所述第一掺杂区具有第二掺杂类型；第二外延层，位于所述第一表面上，所述第二外延层至少覆盖部分所述第一掺杂区，所述第二外延层具有第二掺杂类型，所述第二外延层的掺杂浓度低于所述第一掺杂区的掺杂浓度，所述第一掺杂区或所述第二外延层具有多个凸起部。
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