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龙图腾网恭喜北京怀柔实验室申请的专利场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300426B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411818707.3，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权场效应晶体管及其制备方法是由聂瑞芬;金锐;和峰;李翠;李哲洋;崔翔设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种场效应晶体管及其制备方法，该场效应晶体管包括：衬底、漂移层、硅基体区和栅极结构，其中，漂移层与衬底具有同一掺杂类型，漂移层背离衬底的一侧具有第一表面；多个硅基体区位于漂移层的两侧，且硅基体区背离衬底一侧的表面位于第一表面中，或位于漂移层背离衬底的一侧，硅基体区与栅氧层接触，硅基体区具有第二掺杂类型；栅极结构至少部分位于漂移层背离衬底的一侧，栅极结构包括栅氧层，栅氧层与多个硅基体区接触。硅基体区与栅氧层之间的界面态密度小，电子迁移率较高，电子流过沟道的电阻非常小，从而降低碳化硅MOSFET的导通电阻和导通损耗。

本发明授权场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底，具有第一掺杂类型；漂移层，位于所述衬底的一侧，所述漂移层背离所述衬底的一侧具有第一表面，且所述漂移层具有所述第一掺杂类型；栅极结构，至少部分位于所述漂移层背离所述衬底的一侧，所述栅极结构包括栅氧层；多个硅基体区，位于所述漂移层中，且所述硅基体区背离所述衬底一侧的表面位于所述第一表面中，或位于所述漂移层背离所述衬底的一侧，所述硅基体区与所述栅氧层接触，所述硅基体区具有第二掺杂类型；多个第一体区，所述第一体区位于所述硅基体区靠近所述衬底的一侧，所述第一体区具有第二掺杂类型；体区隔离介质层，至少部分所述体区隔离介质层位于所述硅基体区和所述第一体区之间；多个导电层，所述导电层分别与所述漂移层、所述硅基体区、所述体区隔离介质层和所述栅氧层接触。

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