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龙图腾网获悉洛阳中硅高科技有限公司申请的专利一种碳化硅晶体沉积装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119082874B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411586452.2，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权一种碳化硅晶体沉积装置是由万烨;张邦洁;陈辉;常卓明;刘见华设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅晶体沉积装置在说明书摘要公布了：本发明属于半导体设备技术领域，具体涉及一种碳化硅晶体沉积装置，包括：筒体和底盘；底盘与筒体密封配合形成沉积空间；通过在筒体内设置具有曲面结构的罩体，使得该曲面结构与进料喷嘴中心相对，起到快速发散分流气流的作用；且曲面结构底部与侧壁渐小的空间，利于离开喷嘴气体的流速增加与返流，以便于形成快速向下输送的气流，而且罩体内的气流从上向下，单一方向快速流动，有利于沉积物料的传质过程，从而提升沉积晶体的致密性；罩体内的空间小，物料可与内部的电极组件表面有效接触，物料经过罩体上的出气孔再次汇集后吹向罩体外的电极组件，这样也能促使物料与罩体外的电极组件充分有效接触，物料经过两级接触和反应，利用率明显提升。

本发明授权一种碳化硅晶体沉积装置在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶体沉积装置，其特征在于，包括：筒体和底盘；所述底盘与所述筒体的底端密封配合以形成沉积空间；所述沉积空间内设置有第一罩体，所述第一罩体倒立设置在所述底盘中央，所述第一罩体内以及所述第一罩体外部的沉积空间内均设置有电极组件；所述底盘中心设置有穿设在所述底盘上的进料喷嘴，所述进料喷嘴的出口延伸至所述第一罩体的顶部，所述进料喷嘴的入口外露在所述底盘远离所述筒体的一侧，用于与原料供应单元连接；所述原料供应单元通过将混合有反应原料的载流气体输送至沉积空间内；所述第一罩体的顶部朝向所述底盘的一侧凸起形成曲面结构，所述曲面结构用于将从所述进料喷嘴的出口流出的载流气体进行分流、流速加速与返流；所述第一罩体的侧壁设置有多个出气孔，所述出气孔朝向所述第一罩体外围的所述电极组件，且所述出气孔从所述第一罩体内侧向所述第一罩体外侧倾斜向下设置；所述第一罩体的侧壁还设置有增强孔，所述增强孔位于所述出气孔的上方，所述增强孔的出气角度对应所述第一罩体外围的所述电极组件的横梁拐角位置；所述曲面结构的形状为倒锥形或者半球形，所述进料喷嘴的出口正对着所述曲面结构的最低点，且所述进料喷嘴的出口与所述曲面结构的最低点之间的间距为1cm~5cm；所述沉积空间内还设置有：第二罩体；所述第二罩体设置在所述第一罩体的外围，且固定在所述底盘上；所述第二罩体的顶部为敞口结构；所述第二罩体与所述第一罩体之间设置有若干所述电极组件；所述第二罩体的侧壁设置有多个第一导流孔，所述第一导流孔自所述第二罩体的内侧向所述第二罩体的外侧倾斜向上设置；或者，所述沉积空间内还设置有：第三罩体；所述第三罩体设置在所述第一罩体的外围，且固定在所述底盘上；所述第三罩体的顶部为封闭结构；所述第三罩体与所述第一罩体之间设置有若干所述电极组件；所述第三罩体的侧壁设置有多个第二导流孔，所述第二导流孔自所述第三罩体的内侧向所述第三罩体的外侧倾斜向上设置。

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