恭喜北京大学吴恒获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京大学申请的专利倒装堆叠晶体管的制备方法、晶体管、器件及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153404B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411135779.8，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权倒装堆叠晶体管的制备方法、晶体管、器件及设备是由吴恒;彭莞越;王润声;黎明;黄如设计研发完成，并于2024-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本倒装堆叠晶体管的制备方法、晶体管、器件及设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种倒装堆叠晶体管的制备方法、晶体管、器件及设备，方法包括：在衬底上形成有源结构，有源结构具有第一部分和第二部分，第一部分相比于第二部分靠近衬底；刻蚀源漏区域内的有源结构，并在第一源漏区域内填充绝缘材料，以形成填充结构，源漏区域包括第一源漏区域和第二源漏区域，第一源漏区域与第一部分对应，第二源漏区域与第二部分对应；基于第二源漏区域，形成第一晶体管的第一源漏结构和第一源漏金属；对第一晶体管进行倒片并去除衬底；通过材料的选择性刻蚀填充结构，以暴露第一源漏区域；基于第一源漏区域，形成第二晶体管的第二源漏结构和第二源漏金属。本申请可以实现正背面晶体管的完全自对准。
本发明授权倒装堆叠晶体管的制备方法、晶体管、器件及设备在权利要求书中公布了：1.一种倒装堆叠晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上形成有源结构，所述有源结构具有第一部分和第二部分，所述第一部分相比于所述第二部分靠近所述衬底；刻蚀位于源漏区域内的有源结构，并在所述衬底上的所述第一部分对应的第一源漏区域内填充绝缘材料，以形成填充结构；在所述填充结构上，基于第二源漏区域，形成第一晶体管的第一源漏结构和第一源漏金属，所述第二源漏区域与所述第二部分对应；对所述第一晶体管进行倒片并去除所述衬底；通过材料的选择性刻蚀所述填充结构，以暴露所述第一源漏区域；基于所述第一源漏区域，形成第二晶体管的第二源漏结构和第二源漏金属。
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