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龙图腾网恭喜浙江工业大学申请的专利一种基于透射式堆叠原子芯片的冷原子捕获装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119049754B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411069821.0，技术领域涉及：G21K1/00；该发明授权一种基于透射式堆叠原子芯片的冷原子捕获装置是由林强;王子轩;李德钊;吴彬;王肖隆;程冰;吴一凡设计研发完成，并于2024-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于透射式堆叠原子芯片的冷原子捕获装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于透射式堆叠原子芯片的冷原子捕获装置，包括：透射式堆叠原子芯片、透射式芯片固定架、透明超高真空腔体、芯片原子源和光路，其中，透射式堆叠原子芯片与透射式芯片固定架连接；透明超高真空腔体与透射式堆叠原子芯片连接；芯片原子源与透明超高真空腔体连接，并穿过透明超高真空腔体的侧壁进入其内部。本发明通过引入透射式堆叠原子芯片，能够降低制造成本、提高空间利用率、优化原子芯片能耗，并增强原子抓捕效率和纯度；本发明具有原子捕获和冷却效率高、空间利用率高、功耗低、噪声小、探测和耦合度好以及可扩展性高等优点，为原子芯片的工作和测试提供了一种更高效、更稳定的冷原子捕获装置和方法。

本发明授权一种基于透射式堆叠原子芯片的冷原子捕获装置在权利要求书中公布了：1.一种基于透射式堆叠原子芯片的冷原子捕获装置，其特征在于，包括：透射式堆叠原子芯片1，用于冷却和捕获原子，以产生超冷原子为量子技术研究提供工作源；透射式芯片固定架2，用于支撑和固定所述透射式堆叠原子芯片1，以支撑和链接外部设备；透明超高真空腔体3，用于为冷原子的维持提供稳定的超高真空环境，以避免外部原子影响冷原子的捕获和冷却；芯片原子源4，用于为所述透射式堆叠原子芯片1提供冷却和捕获所需的原子；和光路5，用于为原子的捕获和冷却提供光场初始条件；其中，所述透射式堆叠原子芯片1与所述透射式芯片固定架2连接；所述透明超高真空腔体3与所述透射式堆叠原子芯片1连接；所述芯片原子源4与所述透明超高真空腔体3连接，并穿过所述透明超高真空腔体3的侧壁进入其内部；所述透射式堆叠原子芯片1包括底层冷原子捕获芯片11、上层二级冷却芯片12和透射式堆叠原子芯片电极引脚13，其中，所述底层冷原子捕获芯片11与所述上层二级冷却芯片12连接；所述透射式堆叠原子芯片电极引脚13与所述底层冷原子捕获芯片11连接；所述底层冷原子捕获芯片11包括底层芯片基片1128和底层金属引脚；其中，所述底层芯片基片1128用于承载所述底层金属引脚，并能够透光；所述底层金属引脚之间通过金属导线结构连接，所述底层金属引脚和金属导线结构溅射在所述底层芯片基片1128上，所述底层金属引脚之间的金属导线形成U型结构或H型结构；所述底层金属引脚与所述透射式堆叠原子芯片电极引脚13连接；所述上层二级冷却芯片12包括上层芯片基片1213和上层金属引脚，其中，所述上层芯片基片1213用于承载上层金属引脚，并能够透光；所述上层金属引脚之间通过金属导线结构相互连接，所述上层金属引脚和金属导线结构溅射在上层芯片基片1213上，所述上层金属引脚之间的金属导线形成Z型结构。

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