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龙图腾网恭喜武汉喻芯半导体有限公司申请的专利一种存储主控架构及闪存颗粒控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114328284B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111652367.8，技术领域涉及：G06F12/02；该发明授权一种存储主控架构及闪存颗粒控制方法是由刘世军设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种存储主控架构及闪存颗粒控制方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种存储主控架构及闪存颗粒控制方法，涉及存储技术领域。所述的存储主控架构用于适配不同类型和页容量的闪存颗粒，包括高速存储主控接口模块、可调整缓存及控制模块、写数据通道处理模块、读数据通道处理模块、闪存接口模块和固件控制模块。本申请通过引入可调整的多个不同类型的缓存区间设计，可通过固件程序Firmware自适应配置数据处理所需的页容量Pagesize从1K、2K，到4K、8K，以及多通道处理架构设计，一方面可以使得本存储主控设计可广泛使用多家不同类闪存颗粒产品，另一方面，本申请通过对写操作WP与读操作RP多数据通道并行处理机制，可以极大地提高存储主控架构的读写性能。

本发明授权一种存储主控架构及闪存颗粒控制方法在权利要求书中公布了：1.一种存储主控架构，其特征在于，包括：高速存储主控接口模块，所述高速存储主控接口模块用于接收来自HOST主机的信号以及待写数据或待读数据；可调整缓存及控制模块，所述可调整缓存及控制模块与所述高速存储主控接口模块连接，所述可调整缓存及控制模块用于判断闪存颗粒所需的缓存结构及数据处理所需的页容量（PageSize），选择不同页容量的缓存类型与缓存区间，并将所述待写数据或待读数据写入缓存区间或从缓存区间读取出来；写数据通道处理模块，所述写数据通道处理模块与所述可调整缓存及控制模块连接，所述写数据通道处理模块用于产生写指令，将待写数据从所述缓存区间读取出来；读数据通道处理模块，所述读数据通道处理模块与所述可调整缓存及控制模块连接，所述读数据通道处理模块用于产生读指令，将待读数据发送至可调整缓存及控制模块并写入所述缓存区间；闪存接口模块，所述闪存接口模块与所述写数据通道处理模块连接，用于接收所述写指令及待写数据，并发送至外部的闪存颗粒；所述闪存接口模块与所述读数据通道处理模块连接，接收所述读指令并从外部的闪存颗粒读取数据；固件控制模块，所述固件控制模块与所述高速存储主控接口模块、可调整缓存及控制模块、写数据通道处理模块、读数据通道处理模块和闪存接口模块连接，所述固件控制模块用于控制所述高速存储主控接口模块、可调整缓存及控制模块、写数据通道处理模块、读数据通道处理模块和闪存接口模块；所述可调整缓存及控制模块包括：控制模块，所述控制模块用于解析输入指令并控制数据处理；数据校准模块，所述数据校准模块与所述控制模块连接；可自适应调整缓存模块，所述可自适应调整缓存模块与所述控制模块连接，所述可自适应调整缓存模块可被划分为不同容量的缓存区间；可自适应调整缓存模块根据固件程序处理校对后产生的各种信息信号及数据信息，对本系统终端所使用的闪存存储颗粒芯片进行判别解码，确定应用的存储颗粒芯片，以及存储页大小，通过内部模块自适应调整所需缓存区间。

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