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龙图腾网恭喜北京大学申请的专利一种硅基纳米线压阻式压力传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113845083B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111098479.3，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权一种硅基纳米线压阻式压力传感器及其制备方法是由高程武;张大成;杨芳;程垒健;余润泽;李凤阳;王旭峰;华璇卿;刘鹏设计研发完成，并于2021-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅基纳米线压阻式压力传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅基纳米线压阻式压力传感器及其制备方法，属于微电子机械系统传感器设计领域。本发明提出具有悬空硅压阻纳米线结构的硅应变膜，压敏电阻分别悬空排布于应变膜边缘与梁凸台之间、中心凸台与梁凸台之间，极大提高了压阻式压力传感器的灵敏度；硅压阻纳米线表面热氧化形成包覆的SiO2层，一方面可以有效减小漏电流的产生，另一方面，热氧化可以压阻的浓度分布更加均匀；SiO2Si3N4作为KOH腐蚀工艺的掩膜对KOH腐蚀工艺中的K+的阻挡特性较好，加工的器件具有较高的可靠性；采用了硅玻璃阳极键合工艺，其中玻璃对压力感应膜起到了应力缓冲的作用，提高了传感器在后续封装和测试中的稳定性。

本发明授权一种硅基纳米线压阻式压力传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基纳米线压阻式压力传感器，其特征在于，包括硅应变膜、压敏电阻、重掺杂连接线、金属引线和玻璃底座；硅应变膜由硅衬底制成，其正面含有位于中心的一个中心凸台、位于中心凸台外侧的关于中心对称的四个梁凸台结构以及围绕在梁凸台外侧的硅应变膜边缘；压敏电阻为悬空硅压阻纳米线，悬挂于硅应变膜边缘与每个梁凸台之间和中心凸台与每个梁凸台之间，悬挂于硅应变膜边缘与每个梁凸台之间的为压敏电阻R1，悬挂于中心凸台与每个梁凸台之间的为压敏电阻R2；重掺杂连接线为悬空硅重掺杂连接线，悬挂于应变膜边缘与梁凸台之间；金属引线设置于中心凸台、每个梁凸台和硅应变膜边缘的正面，与重掺杂连接线在硅应变膜的正面形成欧姆接触；玻璃底座为与硅应变膜的背面进行键合的带孔玻璃；其中，压敏电阻R1的靠近梁凸台的一端，通过梁凸台上的金属引线与压敏电阻R2的靠近梁凸台的一端连接；压敏电阻R1的靠近梁凸台的一端和压敏电阻R2的靠近梁凸台的一端，共同通过梁凸台上的金属引线、重掺杂连接线、硅应变膜边缘上的金属引线，分别与电压输入端Vin、零电压输入端0、高电压输出端Vout+、低电压输出端Vout-连接；连接电压输入端Vin和低电压输出端Vout-的两个压敏电阻R1，其靠近硅应变膜边缘的一端通过硅应变膜边缘上的金属引线相互连接；连接零电压输入端0和高电压输出端Vout+的两个压敏电阻R1，其靠近硅应变膜边缘的一端通过硅应变膜边缘上的金属引线相互连接；连接电压输入端Vin和高电压输出端Vout+的两个压敏电阻R2，其靠近中心凸台的一端通过位于中心凸台上的金属引线相互连接；连接零电压输入端0和低电压输出端Vout-的两个压敏电阻R2，其靠近中心凸台的一端通过位于中心凸台上的金属引线相互连接。

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