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龙图腾网恭喜中芯南方集成电路制造有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274557B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110483903.X，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的形成方法是由王瑜杰设计研发完成，并于2021-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括基底、鳍部、以及隔离层，所述隔离层位于相邻鳍部之间，且所述隔离层表面低于所述鳍部顶面；在所述隔离层上形成若干相互分立的栅结构，所述栅结构横跨所述鳍部的顶面和侧壁面；在所述栅结构两侧的鳍部内形成源漏开口；采用第一选择性外延生长工艺，在所述源漏开口的内壁面形成缓冲层；在形成所述缓冲层后，对所述栅结构表面进行第一回刻蚀；采用第二选择性外延生长工艺，在所述源漏开口内的缓冲层表面形成体层；在形成所述体层后，对所述栅结构表面进行第二回刻蚀；在所述第二回刻蚀后，在所述体层表面形成盖层。从而在提高半导体结构的生产效率的同时，提高半导体结构的可靠性。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括基底、位于所述基底上的若干相互分立的鳍部、以及位于基底表面的隔离层，所述隔离层还位于相邻鳍部之间，且所述隔离层表面低于所述鳍部顶面；在所述隔离层上形成若干相互分立的栅结构，所述栅结构横跨所述鳍部的顶面和侧壁面；在所述栅结构两侧的鳍部内形成源漏开口；采用第一选择性外延生长工艺，在所述源漏开口的内壁面形成缓冲层；在形成所述缓冲层后且在形成体层前，对所述栅结构表面进行第一回刻蚀，以去除所述栅结构表面的缓冲层缺陷种子；采用第二选择性外延生长工艺，在所述源漏开口内的缓冲层表面形成体层；在形成所述体层后，对所述栅结构表面进行第二回刻蚀，以去除所述栅结构表面的体层缺陷种子；在所述第二回刻蚀后，在所述体层表面形成盖层；在所述第一选择性外延生长的工艺中，同时进行所述缓冲层材料的生长以及缓冲层的材料刻蚀；在所述第二选择性外延生长的工艺中，同时进行所述体层材料的生长以及体层的材料刻蚀。

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