恭喜华芯半导体研究院(北京)有限公司;华芯半导体科技有限公司赵风春获国家专利权
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龙图腾网恭喜华芯半导体研究院(北京)有限公司;华芯半导体科技有限公司申请的专利具有透镜结构的VCSEL芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112448268B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011328645.X，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权具有透镜结构的VCSEL芯片及其制备方法是由赵风春;王青;张杨;李军;尧舜;单杰;王光辉设计研发完成，并于2020-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有透镜结构的VCSEL芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了具有透镜结构的VCSEL芯片及其制备方法，所述VCSEL芯片包括GaAs衬底；在所述GaAs衬底上依次生长的NDBR层、MQW层、氧化层、PDBR层和P接触层；设置在所述出光孔区域的所述P接触层上的P电极；设置在所述GaAs衬底靠近所述NDBR层的表面上的N电极；设置在所述VCSEL芯片的至少部分表面上的SIN钝化层；设置在所述出光孔区域的所述SIN钝化层的表面上的透镜。本发明不仅可以有效降低VCSEL芯片的发散角，同时还可以有效保护出光腔面，从而保证VCSEL芯片具有良好的外观。
本发明授权具有透镜结构的VCSEL芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有透镜结构的VCSEL芯片，其特征在于，包括：GaAs衬底；在所述GaAs衬底上依次生长的NDBR层、MQW层、氧化层、PDBR层和P接触层；所述氧化层包括第一氧化层和第二氧化层，所述第一氧化层对应出光孔区域，所述第二氧化层设置在所述出光孔区域的两侧；P电极，所述P电极设置在所述出光孔区域的所述P接触层上；N电极，所述N电极设置在所述GaAs衬底靠近所述NDBR层的表面上；SIN钝化层，所述SIN钝化层设置在所述VCSEL芯片的至少部分表面上；透镜，所述透镜设置在所述出光孔区域的所述SIN钝化层的表面，且所述透镜完全覆盖所述出光孔区域；所述透镜的材料为光敏聚酰亚胺胶；所述透镜所在圆的直径为13-17μm；所述透镜的顶部距离P接触层的高度为6.0-6.5μm。
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