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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112951823B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011274769.4，技术领域涉及：H10D84/80；该发明授权半导体器件是由尹承灿;韩东焕设计研发完成，并于2020-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括：第一结构，第一结构包括：第一半导体图案，从衬底突出，第一半导体图案是沟道；第一导电图案，围绕第一半导体图案，第一导电图案是栅电极；第一杂质区，位于第一半导体图案下方，第一杂质区接触第一半导体图案，第一杂质区为源极区或漏极区；以及第二杂质区，接触第一半导体图案，第二杂质区是源极区或漏极区中的另一个；以及第二结构，第二结构包括：彼此间隔开的第二半导体图案，第二半导体图案中的每一个从衬底突出；第二导电图案，分别围绕第二半导体图案；以及第一接触插塞，连接到第二导电图案，其中，第一结构是vfet，并且第二结构包括电阻器或电容器。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：第一结构，包括：第一半导体图案，在垂直于衬底的上表面的竖直方向上从所述衬底突出，所述第一半导体图案是沟道；第一导电图案，围绕所述第一半导体图案的上侧壁并且不覆盖所述第一半导体图案的上表面，所述第一导电图案是栅电极；第一下杂质区，在所述第一半导体图案下方位于所述衬底的上部，所述第一下杂质区接触所述第一半导体图案的下表面，所述第一下杂质区为源极区或漏极区；以及第一上杂质区，接触所述第一半导体图案的上表面，所述第一上杂质区是所述源极区或所述漏极区中的另一个；以及第二结构，包括：第二半导体图案，在与所述衬底的上表面平行的水平方向上彼此间隔开，所述第二半导体图案中的每个第二半导体图案在所述竖直方向上从所述衬底突出，所述第二半导体图案中的每个第二半导体图案沿与所述衬底的上表面平行的第一方向延伸，并且所述第二半导体图案在与所述衬底的上表面平行且与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；第二导电图案，分别围绕所述第二半导体图案的上侧壁，并且不覆盖所述第二半导体图案的上表面；连接图案，在所述衬底上，所述连接图案将所述第二导电图案彼此连接并且包括与所述第二导电图案基本相同的材料；以及第一接触插塞，电连接到所述第二导电图案，其中，所述第一结构是竖直场效应晶体管vfet，所述第二结构包括电阻器或电容器，并且其中，所述连接图案在所述第一方向上的最大宽度小于所述第二导电图案中的每个第二导电图案在所述第一方向上的相对端之间的最大距离。

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