恭喜浜松光子学株式会社间瀬光人获国家专利权
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龙图腾网恭喜浜松光子学株式会社申请的专利倍增型图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114846607B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080089971.1，技术领域涉及：H04N5/00；该发明授权倍增型图像传感器是由间瀬光人;平光纯;石井博明;田中祐马;伊藤聪典设计研发完成，并于2020-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本倍增型图像传感器在说明书摘要公布了：一种倍增型图像传感器，其包括：具有第1表面和第2表面的半导体层；设置于第2表面的配线层。半导体层包含以沿着第1表面的方式配置的多个像素。多个像素各自具有：第1半导体区域；相对于第1半导体区域的至少一部分形成于第2表面侧，按多个像素中的每一个分割出的第2半导体区域；以与第1半导体区域分离的方式形成在第2半导体区域内，构成像素电路的一部分的阱区域。第1半导体区域的至少一部分和第2半导体区域的至少一部分形成雪崩倍增区域。
本发明授权倍增型图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种倍增型图像传感器，其特征在于，包括：半导体层，其具有第1表面和与所述第1表面相反的一侧的第2表面，包含以沿着所述第1表面的方式配置的多个像素；和设置于所述第2表面的配线层，所述多个像素各自具有：第1导电型的第1半导体区域；相对于所述第1半导体区域的至少一部分形成于所述第2表面的一侧，按所述多个像素中的每一个分割出的第2导电型的第2半导体区域；和以与所述第1半导体区域分离的方式形成在所述第2半导体区域内，构成像素电路的一部分的第1导电型的阱区域，所述第1半导体区域的至少一部分和所述第2半导体区域的至少一部分形成雪崩倍增区域，所述第2半导体区域中的形成有所述阱区域的部分与所述第2半导体区域中的形成所述雪崩倍增区域的部分连续。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浜松光子学株式会社，其通讯地址为：日本静冈县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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