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龙图腾网恭喜半导体元件工业有限责任公司申请的专利横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112768525B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011126263.9，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管是由C·C·马设计研发完成，并于2020-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在说明书摘要公布了：本发明题为“横向扩散金属氧化物半导体晶体管”。在一般方面，横向扩散金属氧化物半导体LDMOS晶体管可包括：第一导电类型的衬底；设置在该衬底中的第二导电类型的埋入式阱区；设置在该埋入式阱区上的该第一导电类型的主体区、设置在该主体区中的该第二导电类型的漂移区、设置在该漂移区中的该第二导电类型的漏极注入物；设置在该主体区中的该第二导电类型的源极注入物；以及设置在该漂移区上的栅极结构。该栅极结构可包括：包括RESURF介电层的场板；栅极介电层；和栅极电极，该栅极电极设置在该场板和该栅极介电层上。LDMOS晶体管还可包括漏极触点，该漏极触点延伸穿过该场板并限定与该漏极注入物的欧姆触点。

本发明授权横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在权利要求书中公布了：1.一种横向扩散金属氧化物半导体LDMOS晶体管，所述横向扩散金属氧化物半导体晶体管包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的埋入式阱区，所述埋入式阱区设置在所述衬底中，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；所述第一导电类型的主体区，所述主体区设置在所述埋入式阱区上；所述第二导电类型的漂移区，所述漂移区设置在所述主体区中；所述第二导电类型的漏极注入物，所述漏极注入物设置在所述漂移区中；所述第二导电类型的源极注入物，所述源极注入物设置在所述主体区中；栅极结构，所述栅极结构设置在所述漂移区上，所述栅极结构包括：场板，所述场板包括RESURF介电层；栅极介电层；和栅极电极，所述栅极电极设置在所述场板和所述栅极介电层上；以及漏极触点，所述漏极触点延伸穿过所述场板并且限定与所述漏极注入物的欧姆触点。

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