恭喜台湾积体电路制造股份有限公司郭宏瑞获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利封装结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112635421B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011001038.2，技术领域涉及：H01L23/482；该发明授权封装结构及其制作方法是由郭宏瑞;蔡惠榕;彭竣翔设计研发完成，并于2020-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装结构及其制作方法在说明书摘要公布了：一种封装结构包括至少一个半导体管芯、绝缘密封体及重布线结构。所述至少一个半导体管芯具有多个导电柱，其中所述多个导电柱的顶表面具有第一粗糙度。绝缘密封体包封所述至少一个半导体管芯。重布线结构在积层方向上设置在绝缘密封体上且电连接到所述至少一个半导体管芯。重布线结构包括：多个导通孔部及多个导电体部，嵌置在介电层中，其中所述多个导电体部的顶表面具有第二粗糙度，且第二粗糙度大于第一粗糙度。
本发明授权封装结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，包括：至少一个半导体管芯，具有多个导电柱，其中所述多个导电柱中的至少一者的顶表面具有第一粗糙度；绝缘密封体，包封所述至少一个半导体管芯；重布线结构，在积层方向上设置在所述绝缘密封体上，其中所述重布线结构电连接到所述至少一个半导体管芯且包括：多个导通孔部及多个导电体部，嵌置在介电层中，其中所述多个导电体部的顶表面具有第二粗糙度，且所述第二粗糙度大于所述第一粗糙度，其中所述多个导通孔部包括第一通孔部，且所述第一通孔部的侧向尺寸在所述积层方向上从所述第一通孔部的第一端到所述第一通孔部的第二端保持恒定，且所述第一通孔部的所述第二端的表面具有第三粗糙度，且所述第三粗糙度小于所述第二粗糙度。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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