恭喜聚灿光电科技(宿迁)有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网恭喜聚灿光电科技(宿迁)有限公司申请的专利LED外延结构、LED芯片及LED外延结构制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111933767B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010953817.6，技术领域涉及：H10H20/814；该发明授权LED外延结构、LED芯片及LED外延结构制造方法是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2020-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本LED外延结构、LED芯片及LED外延结构制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种LED外延结构、LED芯片及LED外延结构制造方法，LED外延结构包括衬底和设于其上的缓冲层和半导体层，衬底表面设有多个凸起的微结构；缓冲层包括覆于微结构之上的第一缓冲层，第一缓冲层于微结构的顶端形成第一通孔，并且于微结构的侧壁形成第二通孔；半导体层内形成有沿第一通孔向上延伸的镂空结构，所述镂空结构内介质为空气。通过基于通孔结构形成的位于微结构顶端的空气柱型镂空结构，增加了界面处的折射率差值，有效增强了光线在界面处的反射作用，提高了LED器件的光提取效率；并且，由于镂空结构为细长且向上延伸的圆柱结构，其对所述半导体层内的结构影响较小。
本发明授权LED外延结构、LED芯片及LED外延结构制造方法在权利要求书中公布了：1.一种LED外延结构，包括衬底和设于其上的缓冲层以及半导体层，其特征在于，所述衬底表面设有多个凸起的微结构；所述缓冲层包括覆于所述微结构之上的第一缓冲层，所述第一缓冲层于所述微结构的顶端形成第一通孔，并且于所述微结构的侧壁形成多个第二通孔，所述多个第二通孔为空气孔洞；所述半导体层内形成有沿所述第一通孔向上延伸的镂空结构，所述镂空结构内介质为空气，所述镂空结构为圆柱形，高度范围为0.5-4um，孔径范围为0.01-0.1um。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人聚灿光电科技(宿迁)有限公司，其通讯地址为：223800 江苏省宿迁市经济技术开发区东吴路南侧；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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