恭喜台湾积体电路制造股份有限公司杨奇翰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113270428B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010904590.6，技术领域涉及：H10D86/80；该发明授权半导体器件及其形成方法是由杨奇翰设计研发完成，并于2020-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种半导体器件及其形成方法，半导体器件包含电容器和电阻器。电容器包含：第一板；设置在第一板上方的电容器介电层；以及设置在电容器介电层上方的第二板。电阻器包含薄膜。电阻器的薄膜和电容器的第一板由相同导电材料形成，且是定义于单一图案化工艺中。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：电阻器，设置在衬底上方且包括上覆有电阻器介电层的薄膜；电容器，设置在所述衬底上方且包括：第一板；电容器介电层，设置在所述第一板上方；以及第二板，设置在所述电容器介电层上方；第一富含Si的介电材料，具有多个硅纳米晶体且设置在所述薄膜和所述第一板下方；以及第二富含Si的介电材料，具有多个硅纳米晶体且设置在所述薄膜和所述第二板上方；其中所述电阻器的所述薄膜和所述电容器的所述第一板包括相同导电材料且在单一图案化工艺中被定义，其中所述第一板和所述电容器介电层具有第一宽度，且所述第二板具有第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度，其中所述薄膜和所述第一板各自具有第一厚度，且所述电阻器介电层和所述电容器介电层各自具有第二厚度，所述第一厚度和所述第二厚度的比率在0.2到0.25。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号