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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体存储器装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112713147B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010672660.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储器装置及其制造方法是由金硕炫;姜准泳;金永埈;朴晋亨;宋昊柱;李尚俊;李蕙兰;金奉秀;金成禹设计研发完成，并于2020-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储器装置及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了一种半导体存储器装置及其制造方法。所述半导体存储器装置包括：基底，包括单元阵列区域和边界区域；第一凹陷区域，在基底的位于单元阵列区域中的上部处；第一位线，延伸到边界区域上并且与第一凹陷区域交叉；位线接触件，在第一凹陷区域中并且接触第一位线；第二位线，与第一凹陷区域间隔开并且与第一位线相邻，第二位线与单元阵列区域和边界区域交叉；单元掩埋绝缘图案，在第一位线接触件的侧表面与第一凹陷区域的内壁之间；以及边界掩埋绝缘图案，覆盖边界区域中的第一位线和第二位线的侧壁并且包括与单元掩埋绝缘图案的材料相同的材料。

本发明授权半导体存储器装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：基底，包括单元阵列区域和边界区域；第一凹陷区域，设置在基底的位于单元阵列区域中的上部处；第一位线，延伸到边界区域上并且与第一凹陷区域交叉；位线接触件，设置在第一凹陷区域中并且接触第一位线；第二位线，与第一凹陷区域间隔开并且与第一位线相邻，第二位线与单元阵列区域和边界区域交叉；位线间隔件，覆盖单元阵列区域中的第一位线的侧壁；单元掩埋绝缘图案，置于位线接触件的侧表面与第一凹陷区域的内壁之间；边界掩埋绝缘图案，在边界区域中覆盖第一位线和第二位线的侧壁并且包括与单元掩埋绝缘图案的材料相同的材料；单元绝缘衬垫，置于单元掩埋绝缘图案与第一凹陷区域的内壁之间以及单元掩埋绝缘图案与位线接触件的侧壁之间；边界绝缘衬垫，置于边界掩埋绝缘图案与第一位线之间；以及第一残留间隔件图案，在边界区域中位于第一位线与第二位线之间并且形成位线间隔件的部分，其中，边界掩埋绝缘图案设置在边界区域中的第一位线与第一残留间隔件图案之间以及边界区域中的第二位线与第一残留间隔件图案之间。

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