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龙图腾网恭喜慕尼黑工业大学申请的专利晶片、光发射器件、生产晶片的方法以及表征用于生产晶片的系统的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113994455B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080040617.X，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权晶片、光发射器件、生产晶片的方法以及表征用于生产晶片的系统的方法是由C·丹吉尔;J·芬利;K·穆勒;F·波普;A·路德维希;N·巴尔特;A·威克设计研发完成，并于2020-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶片、光发射器件、生产晶片的方法以及表征用于生产晶片的系统的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种晶片10，包括：衬底11；至少一个中间层，该至少一个中间层形成在衬底11的表面上，其中至少一个中间层至少部分地覆盖衬底11的表面，并且其中至少一个中间层的外表面15指向背离衬底11的表面11a；以及纳米结构16，该纳米结构生长在至少一个中间层的外表面15上，其中至少一个中间层以这样的方式形成，即，纳米结构16的生长位置15a在至少一个中间层的外表面15上是预定的，并且其中纳米结构16的至少一种纳米结构材料被组装在纳米结构16的生长位置15a处。

本发明授权晶片、光发射器件、生产晶片的方法以及表征用于生产晶片的系统的方法在权利要求书中公布了：1.一种晶片10，20，30，40，50，71，80，90，包括：衬底11；至少一个中间层，所述至少一个中间层形成在所述衬底11的表面11a上，其中所述至少一个中间层至少部分地覆盖所述衬底11的表面11a，并且其中所述至少一个中间层的外表面15指向背离所述衬底11的表面11a；和纳米结构16，28，53，84，89，92，95，所述纳米结构生长在所述至少一个中间层的外表面上15；其中，所述至少一个中间层以如下的方式形成：所述纳米结构16，28，53，84，89，92，95的生长位置15a，27，45，52，84在所述至少一个中间层的外表面15上是预定的，并且其中所述纳米结构16，28，53，84，89，92，95的至少一种纳米结构材料被组装在所述纳米结构16，28，53，84，89，92，95的生长位置15a，27，45，52，84处，其中，所述至少一个中间层12,13,14,83,91a,91b,92a,92b以如下方式形成：所述外表面15具有变化的粗糙度，其中所述外表面15的区域15a、84具有较高的粗糙度且所述外表面的区域15b具有较低的粗糙度，并且具有较高粗糙度的所述外表面15的区域15a，84被预定为纳米结构16，93a，93b在所述外表面15上的生长位置15a，84。

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