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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成芯片及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112670405B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010269632.3，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权集成芯片及其制造方法是由张耀文;闵仲强;庄学理;王宏烵;杨宗学;曾元泰;黄胜煌;林佳桦设计研发完成，并于2020-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成芯片及其制造方法在说明书摘要公布了：一种在衬底上方包含磁阻随机存取存储magnetoresistiverandomaccessmemory，MRAM单元的集成芯片。介电结构上覆于衬底。磁阻随机存取存储单元设置在介电结构内。磁阻随机存取存储单元包含包夹在底部电极与顶部电极之间的磁性隧道结magnetictunneljunction，MTJ。导电线上覆于顶部电极。侧壁间隔物结构沿着磁性隧道结和顶部电极的侧壁不断延伸。侧壁间隔物结构包含第一侧壁间隔物层、第二侧壁间隔物层以及包夹在第一侧壁间隔物层与第二侧壁间隔物层之间的保护侧壁间隔物层。第一侧壁间隔物层和第二侧壁间隔物层包括第一材料，保护侧壁间隔物层包括与第一材料不同的第二材料。

本发明授权集成芯片及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种集成芯片，包括：介电结构，上覆于衬底；磁阻随机存取存储单元，设置在所述介电结构内，其中所述磁阻随机存取存储单元包括包夹在底部电极与顶部电极之间的磁性隧道结；导电线，上覆于所述顶部电极以及设置在所述介电结构内；顶部电极通孔，设置在所述导电线与所述顶部电极之间，其中所述顶部电极通孔的下部表面包括设置在所述顶部电极的上部表面下方的一个或多个区段；以及侧壁间隔物结构，沿着所述磁性隧道结以及所述顶部电极的侧壁不断延伸，其中所述侧壁间隔物结构包括第一侧壁间隔物层、第二侧壁间隔物层以及包夹在所述第一侧壁间隔物层与所述第二侧壁间隔物层之间的保护侧壁间隔物层，其中所述第一侧壁间隔物层以及所述第二侧壁间隔物层包括第一材料，所述保护侧壁间隔物层包括与所述第一材料不同的第二材料。

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