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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利集成电路装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111952305B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010135776.X，技术领域涉及：H10B41/00；该发明授权集成电路装置及其制造方法是由安在昊;梁宇成;任峻成;黄盛珉设计研发完成，并于2020-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成电路装置及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了一种集成电路装置及其制造方法。该集成电路装置包括：下存储器堆叠件，其包括位于衬底上的多条下字线；上存储器堆叠件，其位于下存储器堆叠件上并且包括多条上字线；至少一个第一下互连层，其在下存储器堆叠件与上存储器堆叠件之间在第一竖直高度在水平方向上延伸，并且被构造为电连接至从所述多条下字线中选择的至少一条下字线；分离的绝缘膜，其覆盖至少一个第一下互连层；以及至少一个第一上互连层，其在高于上存储器堆叠件的第二竖直高度在水平方向上延伸，并且被构造为电连接至从上字线中选择的至少一条上字线。

本发明授权集成电路装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路装置，包括：衬底，其包括存储器单元区和连接区；下存储器堆叠件，其包括位于所述存储器单元区和所述连接区上的多条下字线，所述多条下字线在与所述衬底的主表面平行的水平方向上延伸，所述多条下字线在竖直方向上彼此叠置；上存储器堆叠件，其位于所述下存储器堆叠件上，所述上存储器堆叠件包括在所述竖直方向上彼此叠置的多条上字线；至少一个第一下互连层，所述至少一个第一下互连层在所述连接区上在所述下存储器堆叠件与所述上存储器堆叠件之间位于第一竖直高度处，所述至少一个第一下互连层在所述水平方向上延伸，并且被构造为电连接至从所述多条下字线中选择的至少一条下字线；分离的绝缘膜，其覆盖所述至少一个第一下互连层，使得所述至少一个第一下互连层的上表面不接触所述连接区上的其它导体；以及至少一个第一上互连层，其在所述连接区上位于高于所述上存储器堆叠件的第二竖直高度处，所述至少一个第一上互连层在所述水平方向上延伸，所述至少一个第一上互连层被构造为电连接至从所述多条上字线中选择的至少一条上字线。

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