恭喜台湾积体电路制造股份有限公司关文豪获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成晶体管器件及形成其的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112599523B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911347415.5，技术领域涉及：H10D84/82；该发明授权集成晶体管器件及形成其的方法是由关文豪;姚福伟;蔡俊琳;余俊磊;张庭辅设计研发完成，并于2019-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成晶体管器件及形成其的方法在说明书摘要公布了：在一些实施例中，本公开涉及一种集成晶体管器件及形成其的方法，所述集成晶体管器件包含布置在衬底上方的第一势垒层。另外，未掺杂层可以布置在第一势垒层上方且具有横向紧接p沟道器件区的n沟道器件区。未掺杂层的n沟道器件区具有最顶部表面，所述最顶部表面高于未掺杂层的p沟道器件区的最顶部表面。集成晶体管器件可更包括未掺杂层的n沟道器件区上方的第二势垒层。第一栅极电极布置在第二势垒层上方，且第二栅极电极布置在未掺杂层的p沟道器件区上方。本公开提供了防止形成寄生沟道，进而产生可靠的集成晶体管器件。
本发明授权集成晶体管器件及形成其的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成晶体管器件，包括：第一势垒层，布置在衬底上方；未掺杂层，布置在所述第一势垒层上方，其中所述未掺杂层具有横向紧接p沟道器件区的n沟道器件区，其中所述未掺杂层的所述n沟道器件区具有最顶部表面，所述最顶部表面高于所述未掺杂层的所述p沟道器件区的最顶部表面；第二势垒层，在所述未掺杂层的所述n沟道器件区上方；第一栅极电极，布置在所述第二势垒层上方；以及第二栅极电极，布置在所述未掺杂层的所述p沟道器件区上方。
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