恭喜美光科技公司H·A·卡斯特罗获国家专利权
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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利薄膜晶体管及相关制造技术获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113228284B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980083752.X，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权薄膜晶体管及相关制造技术是由H·A·卡斯特罗;S·W·鲁塞尔;S·H·唐设计研发完成，并于2019-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜晶体管及相关制造技术在说明书摘要公布了：本申请案涉及薄膜晶体管及相关制造技术。所述薄膜晶体管可存取安置成交叉点架构的两个或更多个存储器单元层面。所述制造技术可使用形成于复合堆叠的顶层处的一或多个通路图案，其可促进在所述复合堆叠内构建所述薄膜晶体管，同时使用数目减少的处理步骤。通过利用所述通路的不同群组，可使用所述制造技术来构建所述薄膜晶体管的不同配置。此外，可使用本文中所描述的所述薄膜晶体管及基于通路的相关制造技术来构造存储器装置的电路及组件例如解码器电路系统、一或多个存储器阵列的方面之间的互连件。
本发明授权薄膜晶体管及相关制造技术在权利要求书中公布了：1.一种方法，其包括：形成穿过包括第一层、第二层及第三层的堆叠的顶层的第一多个通路及第二多个通路；使用所述第一多个通路来形成晶体管的栅极电极，所述栅极电极位于所述第二层处；使用所述第二多个通路来形成所述晶体管的第二电极，所述第二电极位于所述第一层处；使用由所述第一多个通路及所述第二多个通路共有的通路来形成所述晶体管的第三电极，所述第三电极至少延伸穿过所述第三层；使用所述通路来移除所述栅极电极的一部分以形成所述第二层处的腔；及使用所述通路来形成位于所述第二层处的所述腔中且与所述栅极电极接触的氧化物材料。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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