恭喜台湾积体电路制造股份有限公司苏祖辉获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利通过反馈控制鳍薄化获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112309867B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911213456.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权通过反馈控制鳍薄化是由苏祖辉;范纯祥;王育文;叶明熙;黄国彬设计研发完成，并于2019-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本通过反馈控制鳍薄化在说明书摘要公布了：本公开涉及通过反馈控制鳍薄化。一种方法包括形成延伸到半导体衬底中的隔离区域。半导体条带位于隔离区域之间。该方法还包括凹陷隔离区域，使得半导体条带的顶部突出高于隔离区域的顶表面以形成半导体鳍，测量半导体鳍的鳍宽度，基于鳍宽度生成蚀刻方案，并使用蚀刻方案对半导体鳍执行薄化工艺。
本发明授权通过反馈控制鳍薄化在权利要求书中公布了：1.一种用于薄化半导体鳍的方法，包括：形成延伸到半导体衬底中的隔离区域，其中，第一半导体条带位于所述隔离区域之间；使所述隔离区域凹陷，其中，所述第一半导体条带的顶部突出高于所述隔离区域的顶表面以形成第一半导体鳍；测量所述第一半导体鳍的第一鳍宽度；基于所述第一鳍宽度生成第一蚀刻方案；以及使用所述第一蚀刻方案对所述第一半导体鳍执行第一薄化工艺，其中，生成所述第一蚀刻方案包括：确定所述第一半导体鳍的所述第一鳍宽度与目标鳍宽度之间的差异；并且基于所述差异确定所述第一薄化工艺的蚀刻时间。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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