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龙图腾网恭喜奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司申请的专利半导体激光器和半导体激光器的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113056850B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980076702.9，技术领域涉及：H01S5/0225；该发明授权半导体激光器和半导体激光器的制造方法是由彼得·扬德设计研发完成，并于2019-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体激光器和半导体激光器的制造方法在说明书摘要公布了：在实施方式中半导体激光器1包括壳体2，其中封装有多个激光二极管芯片31、32、33。壳体2包括盖板23和或侧壁20，盖板和或侧壁对于产生的激光辐射41、42、43是能穿过的。盖板23和或侧壁20具有带有彼此并排布置的出射区域61、62、63的光出射面24。每个出射区域61、62、63关联激光二极管芯片31、32、33中的恰好一个。光出射平面26布置在光出射面24下游。盖板23和或侧壁20在出射区域61、62、63中具有不同的平均厚度，使得所有激光二极管芯片31、32、33的激光辐射到光出射平面26的光学路径长度都是相等的且具有最高为1.5的公差。

本发明授权半导体激光器和半导体激光器的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器1，具有壳体2和多个激光二极管芯片31、32、33，所述激光二极管芯片封装在所述壳体2中，其中，-所述壳体2包括盖板23和或侧壁20，所述盖板和或所述侧壁对于在运行中产生的激光辐射41、42、43是能穿过的，-所述盖板23和或所述侧壁20具有光出射面24，所述光出射面具有彼此并排布置的出射区域61、62、63，-所述出射区域61、62、63中的每一个刚好关联所述激光二极管芯片31、32、33之一，-在光束路径中，光出射平面26布置在所述光出射面24下游，并且-所述盖板23和或所述侧壁20在所述出射区域61、62、63中具有不同的平均厚度，使得所有所述激光二极管芯片31、32、33的所述激光辐射41、42、43的至所述光出射平面26的光学路径长度都是相等的且具有最高为3μm的公差。

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