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龙图腾网恭喜通用电气公司申请的专利制作宽带隙半导体器件时高能量植入期间掩蔽的系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113412536B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980077888.X，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权制作宽带隙半导体器件时高能量植入期间掩蔽的系统和方法是由威廉·格雷格·霍金斯;列扎·甘迪;克里斯托弗·鲍尔;鲁少昕设计研发完成，并于2019-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本制作宽带隙半导体器件时高能量植入期间掩蔽的系统和方法在说明书摘要公布了：本文所公开的主题涉及宽带隙半导体功率器件，并且更具体地涉及用于形成如电荷平衡CB碳化硅SiC功率器件等SiC功率器件的高能量植入掩模。一种中间半导体器件结构126包括：具有第一导电类型的碳化硅SiC衬底层36；以及具有所述第一导电类型的SiC外延epi层34，所述SiCepi层布置在所述SiC衬底层36上。所述中间半导体器件结构126还包括硅高能量植入掩模SiHEIM40，所述SiHEIM直接布置在所述SiCepi层34的第一部分上并且具有介于5微米μm与20μm之间的厚度。所述SiHEIM40被配置成在植入能量大于500千电子伏keV的高能量植入过程期间阻断对所述SiCepi层34的所述第一部分的植入。

本发明授权制作宽带隙半导体器件时高能量植入期间掩蔽的系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种中间半导体器件结构，包括：具有第一导电类型的碳化硅衬底层；具有所述第一导电类型的碳化硅外延层，所述碳化硅外延层布置在所述碳化硅衬底层上；以及硅高能量植入掩模，所述硅高能量植入掩模直接布置在所述碳化硅外延层的第一部分上并且具有介于5μm与20μm之间的厚度，其中，所述硅高能量植入掩模被配置成在植入能量大于500keV的、第二导电类型的高能量植入过程期间阻断对所述碳化硅外延层的所述第一部分的植入，以及其中，所述硅高能量植入掩模是多晶硅层，其具有介于1×1016cm-3与1×1020cm-3之间的所述第一导电类型的外延掺杂浓度并且是导电的，使得所述硅高能量植入掩模在整个所述高能量植入过程期间阻断所述中间半导体器件结构的带电荷。

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