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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利非易失性存储器装置及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111326185B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910885015.3，技术领域涉及：G11C7/12；该发明授权非易失性存储器装置及其操作方法是由权俊秀设计研发完成，并于2019-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本非易失性存储器装置及其操作方法在说明书摘要公布了：公开了一种非易失性存储器装置及其操作方法。一种非易失性存储器装置的操作方法包括：通过第一DQ线从外部装置接收表示第一数据比特的第一DQ信号，并通过第二DQ线从外部装置接收表示第二数据比特的第二DQ信号；以及对与第一DQ线对应的第一存储器单元和与第二DQ线对应的第二存储器单元进行编程，使得第一存储器单元基于第一DQ信号具有擦除状态和第一编程状态中的任何一种，第二存储器单元基于第二DQ信号具有擦除状态和第二编程状态中的任何一种。与第二编程状态对应的阈值电压分布的下限值高于与第一编程状态对应的阈值电压分布的下限值。

本发明授权非易失性存储器装置及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器装置的操作方法，所述操作方法包括：通过第一DQ线从外部装置接收表示第一数据比特的第一DQ信号，并通过第二DQ线从外部装置接收表示第二数据比特的第二DQ信号；以及对与第一DQ线对应的第一存储器单元和与第二DQ线对应的第二存储器单元进行编程，使得第一存储器单元基于第一DQ信号具有擦除状态和第一编程状态中的任何一种并且第二存储器单元基于第二DQ信号具有擦除状态和第二编程状态中的任何一种，其中，与第二编程状态对应的阈值电压分布的下限值高于与第一编程状态对应的阈值电压分布的下限值，其中，第一存储器单元和第二存储器单元连接到同一条字线，其中，编程的步骤包括：将第一数据比特存储在第一存储器单元中，将第二数据比特存储在第二存储器单元中，其中，当第一数据比特和第二数据比特相同时，存储有第一数据比特的第一存储器单元的第一编程状态不同于存储有第二数据比特的第二存储器单元的第二编程状态。

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