恭喜美国亚德诺半导体公司J·G·费奥雷恩扎获国家专利权
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龙图腾网恭喜美国亚德诺半导体公司申请的专利氮化镓增强模式器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112673478B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980059316.9，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权氮化镓增强模式器件是由J·G·费奥雷恩扎;P·斯里瓦斯塔瓦;D·皮埃德拉设计研发完成，并于2019-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化镓增强模式器件在说明书摘要公布了：增强模式的化合物半导体场效应晶体管FET包括源极、漏极和位于它们之间的栅极。该晶体管还包括位于栅极下方的氮化镓基第一异质界面和位于所述第一异质界面下方的掩埋区，该掩埋的p型区域被配置为确定增强模式FET的导通阈值电压，以允许电流在所述源极和所述漏极之间流动。
本发明授权氮化镓增强模式器件在权利要求书中公布了：1.一种增强模式的化合物半导体场效应晶体管，包括：源极、漏极和栅极，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间；位于所述栅极下方的沟道层中的基于氮化镓的第一异质界面；和位于在所述沟道层中的所述第一异质界面下方的掺杂层中的掩埋区，该掩埋区包括激活p型材料并被配置为确定允许电流在所述源极和所述漏极之间流动的增强模式FET导通阈值电压，其中所述掩埋区包括：在所述栅极下方横向延伸的第一p型材料带，所述第一p型材料带具有第一掺杂剂浓度，该第一掺杂剂浓度确定第一增强模式FET导通阈值电压；和在所述栅极下方横向延伸的第二p型材料带，所述第二p型材料带具有第二掺杂剂浓度，以确定第二增强模式FET导通阈值电压。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美国亚德诺半导体公司，其通讯地址为：美国马萨诸塞州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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