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龙图腾网恭喜公安部第一研究所;北京中盾安民分析技术有限公司申请的专利一种用于半导体温控模块的功率驱动装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110445354B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910648807.9，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权一种用于半导体温控模块的功率驱动装置是由范志永;李子晓;常海龙;赵颖;张涛;金川设计研发完成，并于2019-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于半导体温控模块的功率驱动装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于半导体温控模块的功率驱动装置。该功率驱动装置包括电流大小控制模块、电流方向转换模块和监控保护模块；电流大小控制模块与电流方向转换模块连接；监控保护模块分别与电流大小控制模块、电流方向转换模块。该功率驱动装置一方面采用半桥接闸极驱动器和相关分立元件组成电流大小控制模块，具有电路结构简单，能够持续工作，且成本低等优点；另一方面，电流方向转换模块通过单路驱动信号控制H桥电路实现驱动电流方向的变换，具有控制端口少，可靠性高的特点；另外，监控保护模块通过响应迅速的硬件触发电路以及关断保护电路，实现了对半导体温控模块及其功率驱动装置的高效保护。

本发明授权一种用于半导体温控模块的功率驱动装置在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体温控模块的功率驱动装置，其特征在于包括电流大小控制模块、电流方向转换模块和监控保护模块；所述电流大小控制模块与所述电流方向转换模块连接；所述监控保护模块分别与所述电流大小控制模块、所述电流方向转换模块连接，用于对关键位置的电流、电压以及温度进行实时监测；所述电流大小控制模块接收来自数字信号处理器的脉冲宽度调制信号，输出持续可控的直流电流；所述电流方向转换模块，用于接收所述数字信号处理器输出的高低电平信号，以控制所述半导体温控模块的电流方向，实现对所述半导体温控模块的制冷、制热驱动控制，所述电流方向转换模块包括电流方向控制逻辑电路、H桥电路，所述电流方向控制逻辑电路的输入端与所述数字信号处理器的高低电平输出端口连接，所述电流方向控制逻辑电路的输出端与所述H桥电路的输入端连接，所述H桥电路的输出端与所述半导体温控模块连接；所述电流方向控制逻辑电路包括第一N沟道MOS管、第二N沟道MOS管、第三N沟道MOS管；所述第一N沟道MOS管Q7的漏极分别与第一电阻和第二电阻的一端、第一开关二极管的阴极连接，所述第一开关二极管的阳极分别与所述第二电阻的另一端、第二开关二极管的阳极连接，所述第二开关二极管的阴极与第一齐纳二极管的阴极连接，所述第一齐纳二极管的阳极分别与第三功率MOS管的源极、第四功率MOS管的漏极、所述半导体温控模块连接；所述第一N沟道MOS管的栅极分别与第三电阻和第四电阻的一端、第三开关二极管的阴极、所述第三N沟道MOS管的栅极、所述数字信号处理器的高低电平输出端口连接，所述第三开关二极管的阳极分别与所述第四电阻的另一端、第四功率MOS管的栅极连接；所述第二N沟道MOS管与第五电阻、第六电阻、第四开关二极管、第五开关二极管、第二齐纳二极管、第七电阻、第八电阻、第六开关二极管的连接关系同所述第一N沟道MOS管与所述第一电阻、所述第二电阻、所述第一开关二极管、所述第二开关二极管、所述第一齐纳二极管、所述第三电阻、所述第四电阻、所述第三开关二极管的连接关系；所述第二N沟道MOS管的栅极还与所述第三N沟道MOS管的漏极连接，所述第一N沟道MOS管、所述第二N沟道MOS管和所述第三N沟道MOS管的源极分别接地；所述第一电阻和所述第五电阻的另一端分别与高端驱动电压连接，所述第三电阻和所述第七电阻的另一端分别与低端驱动电压连接；所述电流大小控制模块包括半桥接闸极驱动器、降压转换器和电流取样电路，所述半桥接闸极驱动器的输入端与所述数字信号处理器的脉冲宽度调制信号输出端连接，所述半桥接闸极驱动器的输出端与所述降压转换器的输入端连接，所述降压转换器的输出端与所述电流取样电路的输入端连接，所述电流取样电路分别与所述电流方向转换模块和所述监控保护模块连接。

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