恭喜英飞凌科技股份有限公司M.勒斯纳获国家专利权
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龙图腾网恭喜英飞凌科技股份有限公司申请的专利包括金属硅化物层的半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110504233B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910409496.0，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权包括金属硅化物层的半导体器件及其制造方法是由M.勒斯纳;G.施特兰茨尔设计研发完成，并于2019-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括金属硅化物层的半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及包括金属硅化物层的半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括硅层、被直接布置在所述硅层上的金属硅化物层、以及被直接布置在所述金属硅化物层上的焊料层。
本发明授权包括金属硅化物层的半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：硅层2；被直接布置在所述硅层2上的金属硅化物层4；以及被直接布置在所述金属硅化物层4上的焊料层6，其中所述焊料层6包括与所述金属硅化物层4的金属相对应的形成硅化物的金属8，其中所述焊料层6包括锡银焊料合金。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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