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龙图腾网恭喜卡尔蔡司SMT有限责任公司申请的专利特别是用于微光刻投射曝光系统的反射镜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110998452B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201880051683.X，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权特别是用于微光刻投射曝光系统的反射镜是由B.威利-范艾尔德;F.比杰柯克;K.希尔德;T.格鲁纳;S.舒尔特;S.韦勒设计研发完成，并于2018-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本特别是用于微光刻投射曝光系统的反射镜在说明书摘要公布了：本发明涉及一种反射镜，特别是微光刻投射曝光系统的反射镜，其包括反射镜基板12、32、52。该反射镜具有：反射层堆叠体21、41、61，用于将照射光学有效表面11、31、51的工作波长的电磁辐射反射；以及至少一个压电层16、36、56，其布置在反射镜基板和反射层堆叠体之间，且可以通过第一电极布置和第二电极布置向该至少一个压电层施加产生局部可变形变的电场，该第一电极布置20、40、60位于压电层的面向反射层堆叠体的一侧，并且该第二电极布置14、34、54位于压电层的面向反射镜基板的一侧。根据一个方面，提供支撑层98，该支撑层98与没有支撑层的类似设计相比，伴随着施加电场来减少压电层96到反射镜基板92中的下沉，并且因此增加了压电层96的有效挠曲。

本发明授权特别是用于微光刻投射曝光系统的反射镜在权利要求书中公布了：1.一种反射镜，其中，所述反射镜具有光学有效表面11、31，包括：反射镜基板92；反射层堆叠体101，用于反射在所述光学有效表面上入射的具有操作波长的电磁辐射；至少一个压电层96，所述至少一个压电层布置在所述反射镜基板92和所述反射层堆叠体101之间，并且能够通过第一电极布置99和第二电极布置94向所述至少一个压电层施加产生局部可变形变的电场，所述第一电极布置99位于所述压电层96的面向所述反射层堆叠体101的一侧，并且所述第二电极布置94位于所述压电层96的面向所述反射镜基板92的一侧；以及支撑层98，与没有所述支撑层的类似结构相比，伴随着施加电场，所述支撑层98减少所述压电层96到所述反射镜基板92中的下沉，并且因此增加了所述压电层96的有效挠曲；其中，所述支撑层98的厚度为至少15μm。

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