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龙图腾网恭喜深圳市立洋光电子股份有限公司申请的专利多层VCSEL芯片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119765018B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510238795.8，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权多层VCSEL芯片的制备方法是由秦胜研;屈军毅;何绍勇设计研发完成，并于2025-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本多层VCSEL芯片的制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了多层VCSEL芯片的制备方法，制备方法包括：对单晶硅基底进行电子束光刻处理，得到具有预定纳米图案化结构的基底；向基底表面通入氨基硅烷气体源，得到覆盖有单分子层的基底；对覆盖有单分子层的基底依次沉积铝氧化物材料和氮化硅材料，得到高反射率的光子晶体层；基于激光脉冲技术将半导体材料蒸发并凝结到光子晶体层上，形成具有预定厚度的量子阱层；在氮气环境下，将量子阱层中的材料原子按照预定的晶格排列进行重组，得到优化量子阱层；对优化量子阱层上沉积金属电极形成电接触层，得到多层VCSEL芯片。本申请提升了VCSEL芯片的性能和生产可控性，解决了现有技术中存在的晶体缺陷、表面粗糙度和应力不匹配等问题，具有显著的技术优势。

本发明授权多层VCSEL芯片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多层VCSEL芯片的制备方法，其特征在于，包括：对单晶硅基底进行电子束光刻处理，得到具有预定纳米图案化结构的基底；向所述基底表面通入氨基硅烷气体源，以使所述基底与所述氨基硅烷气体源相互反应，得到覆盖有单分子层的基底；对覆盖有单分子层的基底依次沉积铝氧化物材料和氮化硅材料，得到高反射率的光子晶体层；基于激光脉冲技术将半导体材料蒸发并凝结到所述光子晶体层上，形成具有预定厚度的量子阱层，具体包括：对所述光子晶体层进行激光脉冲参数的优化计算，得到计算后的脉冲参数，其中，所述脉冲参数包括脉冲能量、频率和激光波长；根据所述脉冲参数获取调节激光源的输出功率和脉冲频率，得到激光脉冲流的参数设置，并基于所述参数设置调节所述激光脉冲流；将调节后的所述激光脉冲流照射到所述光子晶体层的表面，基于激光脉冲技术将所述半导体材料通过瞬时加热蒸发并在基底表面迅速凝结，形成初步量子阱层；基于预设厚度控制激光脉冲的照射次数和单次脉冲的能量，以使所述初步量子阱层的厚度在多个脉冲迭代沉积过程中逐渐增厚并重结晶，形成具有预定厚度的量子阱层；在氮气环境下，将所述量子阱层中的材料原子按照预定的晶格排列进行重组，得到优化量子阱层，具体包括：对量子阱层的晶体结构进行表征，获取量子阱层中潜在的晶格缺陷及应力分布，得到量子阱层的缺陷数据和晶格参数；基于所述缺陷数据和晶格参数对量子阱层的晶格排列进行模拟，得到所述量子阱层的晶格重组算法，所述晶格重组算法用于指导调整量子阱层的原子排列，使其达到优化状态，模拟的作用在于预见不同的晶格排列对材料性能的影响，通过模拟预测在不同条件下晶格的变化趋势，进而确定一个最优的重组策略；将所述量子阱层置于氮气环境中，基于所述晶格重组算法控制氮气分压和温度，得到初级量子阱层；基于快速离子束技术对所述初级量子阱层进行离子束注入以优化所述初级量子阱层的晶格排列，得到中级量子阱层；对所述中级量子阱层进行二次表征，得到优化量子阱层；对所述优化量子阱层沉积金属电极形成电接触层，得到所述多层VCSEL芯片。

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