恭喜苏州大学江林获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州大学申请的专利一种具有高开关比和低关态电流密度的忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119677371B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510186408.0，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权一种具有高开关比和低关态电流密度的忆阻器及其制备方法是由江林;鲁婉妤;李东;孙迎辉设计研发完成，并于2025-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有高开关比和低关态电流密度的忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于忆阻器领域，公开了一种具有高开关比和低关态电流密度的忆阻器及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：将表面羟基化后的ITO衬底浸泡于3‑氨丙基三乙氧基硅烷的乙醇溶液中，使得ITO衬底表面修饰3‑氨丙基三乙氧基硅烷分子，得到表面带正电的ITO衬底；将表面带正电的ITO衬底浸泡于金纳米粒子胶体溶液中，得到组装有金纳米粒子的衬底，在组装有金纳米粒子的衬底表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，烘烤至干后镀铝膜，得到具有高开关比和低关态电流密度的忆阻器。本发明所述的忆阻器同时具有超高的开关比和超低的关态电流密度、器件可以在高电阻和低电阻状态之间的稳定转换、且具有较长时间的保持特性以及良好的工艺重复性。
本发明授权一种具有高开关比和低关态电流密度的忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有高开关比和低关态电流密度的忆阻器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将表面羟基化后的ITO衬底浸泡于3-氨丙基三乙氧基硅烷的乙醇溶液中，使得ITO衬底表面修饰3-氨丙基三乙氧基硅烷分子，得到表面带正电的ITO衬底；将表面带正电的ITO衬底浸泡于金纳米粒子胶体溶液中3~12h，所述金纳米粒子的直径为10~16nm，得到组装有金纳米粒子的衬底，在组装有金纳米粒子的衬底表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，烘烤至干后镀铝膜，得到具有高开关比和低关态电流密度的忆阻器。
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