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龙图腾网恭喜长沙韶光半导体有限公司申请的专利用于非易失性存储器的散热优化系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119620960B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510157359.8，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权用于非易失性存储器的散热优化系统是由高杰;袁公斌;黄远哲;汪涛涛设计研发完成，并于2025-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于非易失性存储器的散热优化系统在说明书摘要公布了：本发明涉及散热优化分析技术领域，具体涉及用于非易失性存储器的散热优化系统，包括：工作模式感知模块：实时识别存储器的工作模式，包括高频随机写入、高密度读出及混合操作模式，基于工作模式生成热量分布预测图，预测高热区、过渡区、低热区和操作热点时间段；热能分级调控模块：采用分级热管理策略，动态调整散热强度，确保散热资源集中于高热区而避免全局散热过度；写入退火效应优化模块：针对非易失性存储器写入操作中由于电荷滞留引起的局部热堆积，设计基于操作间隔优化的主动降温机制。本发明，避免全局散热过度或不均衡，显著提高了散热效率，减少了能源浪费，并有效降低了因过度散热引发的额外能耗。

本发明授权用于非易失性存储器的散热优化系统在权利要求书中公布了：1.用于非易失性存储器的散热优化系统，其特征在于，包括：工作模式感知模块：通过与非易失性存储器控制单元的接口采集高速读写操作指令，实时识别存储器的工作模式，包括高频随机写入、高密度读出及混合操作模式，基于工作模式生成热量分布预测图，预测高热区、过渡区、低热区和操作热点时间段；热能分级调控模块：根据工作模式感知模块输出的高热区、过渡区、低热区和操作热点时间段，采用分级热管理策略，动态调整散热强度，确保散热资源集中于高热区而避免全局散热过度；写入退火效应优化模块：针对非易失性存储器写入操作中由于电荷滞留引起的局部热堆积，设计基于操作间隔优化的主动降温机制，通过控制写入脉冲序列和延时策略降低热量生成速率，减轻热点堆积的强度和持续时间；所述写入退火效应优化模块具体包括：写入操作监测单元：实时监测非易失性存储器的写入操作时序特征，包括操作频率和持续时间；电荷滞留引发热量评估单元：基于存储器的写入操作时序，识别引发电荷滞留的写入模式，估算写入操作中因电荷滞留引起的局部热堆积，包括基于热量生成系数计算局部热堆积；脉冲序列优化单元：针对引发的局部热堆积，通过控制写入脉冲的时间间隔进行优化，在连续写入操作之间引入延时策略，以减少电荷滞留效应，包括增加写入脉冲之间的时间间隔Δtwrite，使每次写入操作之间有时间来散发热量；所述局部热堆积计算为：，其中，为在时间时刻产生的热量，为热量生成系数；所述延时策略还包括动态调整脉冲间隔，针对高密度写入操作，根据写入操作时序动态增加写入间隔，表示为： ，其中，为时间时刻的脉冲间隔，为基础脉冲间隔，为调整系数，用于控制脉冲间隔的增长程度，为当前操作频率，为最大支持的写入频率。

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