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龙图腾网恭喜杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种浅沟道超结MOS半导体器件及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119603999B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510138278.3，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权一种浅沟道超结MOS半导体器件及其制备工艺是由许一力;李鑫;刘倩倩设计研发完成，并于2025-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种浅沟道超结MOS半导体器件及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种浅沟道超结MOS半导体器件及其制备工艺，包括漏极、源极、半导体外延层、栅极，以及覆盖在栅极表面的栅氧化层，所述半导体外延层包括N衬底层和漂移层；所述漂移层的内部通过离子注入形成有P阱层、P‑层二以及N阱层；所述栅极的截面呈‘T’字形状；所述N阱层的内部通过离子注入形成有P‑层一，所述漂移层的内部且位于相邻两个P‑层二之间通过离子注入形成有窄重掺杂N层。本发明在接入栅极电压之后，会在P‑层二的内部形成电荷沟道，这样N阱层与漂移层就能够形成通路，并且P‑层一的存在则会抑制N阱层内部流动的电荷向栅极区域汇集，这样能够大幅度降低寄生电荷的数量，从而提高MOS半导体器件的响应速度。

本发明授权一种浅沟道超结MOS半导体器件及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种浅沟道超结MOS半导体器件，包括漏极1、源极2、半导体外延层、栅极4，以及覆盖在栅极4表面的栅氧化层3，其特征在于：所述半导体外延层包括N衬底层5和漂移层6；所述漂移层6的内部通过离子注入形成有P阱层7、P-层二10以及N阱层8；所述栅极4的截面呈‘T’字形状；所述N阱层8的内部通过离子注入形成有P-层一9；所述P-层一9和P-层二10分别位于N阱层8的上下两侧，并且P-层一9不与源极2欧姆接触；所述漂移层6的内部且位于相邻两个P-层二10之间通过离子注入形成有宽重掺杂N层1101，其中宽重掺杂N层1101贯穿漂移层6并与N衬底层5接触；所述P阱层7还包括有宽P阱层71，所述宽P阱层71贯穿漂移层6并与N衬底层5接触。

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