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龙图腾网恭喜华南理工大学申请的专利一种Si衬底上生长GaAs纳米柱作为i型层的Si基太阳能电池结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119521794B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510065476.1，技术领域涉及：H10F10/17；该发明授权一种Si衬底上生长GaAs纳米柱作为i型层的Si基太阳能电池结构及其制备方法是由李国强;王宜;刘勇;郭超英设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Si衬底上生长GaAs纳米柱作为i型层的Si基太阳能电池结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于太阳能电池的技术领域，公开了一种Si衬底上生长GaAs纳米柱作为i型层的Si基太阳能电池结构及其制备方法。所述太阳能电池结构从下至上包括背面电极、Si衬底、i型层GaAs纳米柱、空穴传输层、正面电极；i型层GaAs纳米柱通过以下方法制备：1）将Si衬底进行高温退火，将Ga源和As源分别进行升温，As源先蒸发，然后裂解；2在Si衬底上沉积一层Ga，高温生长GaAs纳米柱，低温继续生长，Si衬底上获得i型层GaAs纳米柱。本发明还公开了太阳能电池结构的制备方法。本发明使用Ga作为自催化剂，不会引入其他杂质，同时i型层GaAs纳米柱能够增强Si基太阳能电池太阳光的吸收，提升光电转换效率。

本发明授权一种Si衬底上生长GaAs纳米柱作为i型层的Si基太阳能电池结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Si衬底上生长GaAs纳米柱作为i型层的Si基太阳能电池结构，其特征在于：从下至上依次包括背面电极、Si衬底、GaAs纳米柱、空穴传输层、正面电极；所述GaAs纳米柱为i型层GaAs纳米柱；所述i型层GaAs纳米柱通过以下方法制备：S1）将Si衬底进行高温退火；将Ga源和As源分别进行升温，As源升温时As源区依次分为蒸发区和裂解区，As源在蒸发区蒸发，然后输送至裂解区裂解；Ga源升温后的温度为850~920℃；As源蒸发的温度为250~350℃，裂解的温度为900~1000℃；所述高温退火的温度为780~820℃，高温退火的时间为10~20min；S2）升温后的Ga源先在Si衬底的表面沉积一层Ga，然后裂解的As源与Ga源在沉积有Ga层的Si衬底的表面高温生长GaAs纳米柱，然后低温继续生长，Si衬底上获得i型层GaAs纳米柱；高温生长的温度为500~600℃，低温继续生长的温度为400~500℃；所述高温生长的时间为0.5~2h；所述低温继续生长的时间为10~30min；所述Si衬底的晶面为100、110或者111，掺杂类型为n型掺杂。

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