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龙图腾网恭喜西安交通大学申请的专利氧化镓单晶生长过程中螺旋生长的判断方法、装置和设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119479867B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510051926.1，技术领域涉及：G16C20/10；该发明授权氧化镓单晶生长过程中螺旋生长的判断方法、装置和设备是由李早阳;祁冲冲;杨垚;王君岚;史睿菁;徐星宇;罗金平;刘立军设计研发完成，并于2025-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本氧化镓单晶生长过程中螺旋生长的判断方法、装置和设备在说明书摘要公布了：本申请提供了一种氧化镓单晶生长过程中螺旋生长的判断方法、装置和设备，涉及单晶生长技术领域，包括：根据氧化镓单晶生长系统的结构信息，建立几何模型；对所述几何模型内各个区域进行计算网格划分，设置所述几何模型中对应计算网格的边界条件和控制方程，得到传热流动数值模型；基于所述传热流动数值模型，模拟在当前生长参数下的氧化镓的传热流动过程，得到模拟结果；所述模拟结果包括：结晶生长过程中坩埚内氧化镓熔体区域的流场信息；根据所述模拟结果中氧化镓熔体区域的涡流分布情况，确定在所述当前生长参数下制备的氧化镓是否会发生螺旋生长。

本发明授权氧化镓单晶生长过程中螺旋生长的判断方法、装置和设备在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓单晶生长过程中螺旋生长的判断方法，其特征在于，所述方法包括：根据氧化镓单晶生长系统的结构信息，建立几何模型；对所述几何模型内各个区域进行计算网格划分，设置所述几何模型中对应计算网格的边界条件和控制方程，得到传热流动数值模型；基于所述传热流动数值模型，模拟在当前生长参数下的氧化镓的传热流动过程，得到模拟结果；所述模拟结果包括：结晶生长过程中坩埚内氧化镓熔体区域的流场信息；其中，所述流场信息包括：各个计算网格处的速度大小及方向；根据所述模拟结果中氧化镓熔体区域的涡流分布情况，确定在所述当前生长参数下制备的氧化镓是否会发生螺旋生长；所述根据所述模拟结果中氧化镓熔体区域的涡流分布情况，确定在所述当前生长参数下制备的氧化镓是否会发生螺旋生长，包括：根据所述模拟结果中氧化镓熔体区域各个计算网格处的速度大小及方向，确定生长界面的中心区域是否出现涡流；在所述中心区域没有出现涡流的情况下，确定在所述当前生长参数下制备的氧化镓不会发生螺旋生长；根据所述模拟结果中氧化镓熔体区域各个计算网格处的速度大小及方向，确定生长界面的外缘区域是否出现涡流；在所述外缘区域没有出现涡流的情况下，确定在所述当前生长参数下制备的氧化镓会发生螺旋生长；在所述中心区域和所述外缘区域均出现涡流的情况下，确定滞止点的位置；所述滞止点为所述中心区域的涡流与所述外缘区域的涡流的交界区域的速度为零的点；根据所述滞止点的位置，确定在所述当前生长参数下制备的氧化镓是否会发生螺旋生长。

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