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龙图腾网恭喜天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451149B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510025604.X，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法是由原一帆设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，本申请的绝缘栅双极型晶体管，包括：衬底以及设置于衬底上的漂移层，漂移层包括贴合设置的N型漂移区和P型漂移区，N型漂移区的上表面与P型漂移区的上表面平齐，N型漂移区的上表面形成栅极结构和N型掺杂的第一阻挡区，P型漂移区上设置N型掺杂的第二阻挡区，第一阻挡区和第二阻挡区贴合设置，且第一阻挡区的N型掺杂浓度大于第二阻挡区的N型掺杂浓度，第一阻挡区和第二阻挡区上设置P型基区，P型基区上设置N型重掺杂区和P型重掺杂区。本申请提供的绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，能够在降低开通损耗的基础上改善关断损耗。

本发明授权一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：衬底以及设置于所述衬底上的漂移层，所述漂移层包括贴合设置的N型漂移区和P型漂移区，所述N型漂移区的上表面与所述P型漂移区的上表面平齐，所述N型漂移区的上表面形成栅极结构和N型掺杂的第一阻挡区，所述P型漂移区上设置N型掺杂的第二阻挡区，所述第一阻挡区和所述第二阻挡区贴合设置，且所述第一阻挡区的N型掺杂浓度大于所述第二阻挡区的N型掺杂浓度，所述第一阻挡区和所述第二阻挡区上设置P型基区，所述P型基区上设置N型重掺杂区和P型重掺杂区；其中，所述第一阻挡区用于在所述绝缘栅双极型晶体管导通时阻挡空穴流向所述P型基区，所述第二阻挡区用于在所述绝缘栅双极型晶体管关断时降低所述P型漂移区与所述第二阻挡区之间的势垒高度。

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