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龙图腾网恭喜大连宗益科技发展有限公司申请的专利一种分散边缘电场的SiC功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421472B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510019563.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种分散边缘电场的SiC功率器件是由张大力;王鹏程;温永泽;于永康;房吉君;徐胜献;李想;金宪迪设计研发完成，并于2025-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种分散边缘电场的SiC功率器件在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件技术领域，具体为一种分散边缘电场的SiC功率器件，包括欧姆接触电极、N+SiC衬底、N‑SiC外延以及肖特基接触电极，N‑SiC外延包括与N+SiC衬底固定连接的圆饼件，以及与圆饼件一体成型的圆台件，圆台件的斜面开设有等间距设置的若干个环形槽，环形槽内固定设有P型结终端，P型结终端上远离圆饼件的顶角位于环形槽外，圆饼件的上表面且位于圆台件外固定设有陶瓷封装，陶瓷封装的外表面固定设有散热片。本发明中P型结终端在N‑SiC外延上呈同心阶梯式分布，可以逐步减小终端区域的电场强度，有效缓解边缘的电场集中现象，从而提高器件的击穿电压，减少击穿风险，并且可以降低漏电流，提高器件的静态性能和开关损耗。

本发明授权一种分散边缘电场的SiC功率器件在权利要求书中公布了：1.一种分散边缘电场的SiC功率器件，包括由下至上依次连接的欧姆接触电极100、N+SiC衬底200、N-SiC外延300以及肖特基接触电极400，其特征在于：所述N-SiC外延300包括与所述N+SiC衬底200固定连接的圆饼件301，以及与所述圆饼件301一体成型的圆台件302，所述圆台件302的斜面开设有等间距设置的若干个环形槽303，且相邻两个所述环形槽303的垂直间距大于相邻两个所述环形槽303的水平间距，所述环形槽303内固定设有P型结终端500，所述P型结终端500上远离所述圆饼件301的顶角位于所述环形槽303外，所述圆饼件301的上表面且位于所述圆台件302外固定设有陶瓷封装600，所述陶瓷封装600的外表面固定设有散热片700；所述陶瓷封装600为圆台型结构，所述肖特基接触电极400的上表面固定贯穿所述陶瓷封装600的上表面中心，所述陶瓷封装600的斜面开设有若干个通孔601，所述通孔601的长度方向指向所述P型结终端500上远离所述圆饼件301的顶角，所述散热片700上靠近所述陶瓷封装600的端面一体成型有中空导热柱701，所述中空导热柱701固定贯穿所述通孔601且伸入所述陶瓷封装600内。

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