恭喜晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司黄艳丽获国家专利权
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龙图腾网恭喜晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利镍硅化物的形成方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403197B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510001030.2，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权镍硅化物的形成方法及半导体器件是由黄艳丽;陈涛设计研发完成，并于2025-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本镍硅化物的形成方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种镍硅化物的形成方法及半导体器件。其中，所述镍硅化物的形成方法包括：提供一形成有栅极、源极以及漏极的衬底；以及在所述衬底的栅极、源极以及漏极的表面形成具有夹层结构的镍硅化物，其中所述镍硅化物的夹层结构包括镍硅薄膜和位于所述镍硅薄膜的顶部和底部的合金层。通过本申请的方案，改变了传统的镍硅化物的结构，以在衬底的栅极、源极以及漏极上形成具有镍硅薄膜和合金层的镍硅化物，使得镍硅化物可以通过位于镍硅薄膜顶部和底部的合金层来阻挡镍硅薄膜中的镍在高温下向外扩散，从而提升镍硅化物的热稳定性。
本发明授权镍硅化物的形成方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种镍硅化物的形成方法，其特征在于，包括：提供一形成有栅极、源极以及漏极的衬底；以及在所述衬底的栅极、源极以及漏极的表面形成具有夹层结构的镍硅化物，其中所述镍硅化物的夹层结构包括镍硅薄膜和位于所述镍硅薄膜的顶部和底部的合金层，且所述合金层中金属的晶格常数小于所述镍硅薄膜中镍的晶格常数；其中，所述夹层结构中的合金层用于避免所述镍硅薄膜中的镍在高温下向外扩散，所述合金层包括铪钽合金层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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