恭喜湖南汇思光电科技有限公司杨骏捷获国家专利权
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龙图腾网恭喜湖南汇思光电科技有限公司申请的专利一种雪崩光电二极管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119325292B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411875080.5，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权一种雪崩光电二极管及制备方法是由杨骏捷;付慧清;曾冬妮;潘淑洁设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种雪崩光电二极管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种雪崩光电二极管及制备方法，包括衬底以及自下而上依次生长在衬底上的p型接触层、重p型掺杂电子阻挡层、渐变掺杂多量子阱吸收层、电场调控层层、倍增层和n型接触层，还包括p接触和n接触，所述p接触设于所述p型接触层上，所述n接触设于所述n型接触层上，通过使用渐变掺杂多量子阱结构作为吸收层来分离光生电子和光生空穴，可减少噪声，提高雪崩光电二极管的灵敏度和速率。
本发明授权一种雪崩光电二极管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种雪崩光电二极管，其特征在于，包括衬底（9）、自下而上依次生长在衬底（9）上的p型接触层（1）、重p型掺杂电子阻挡层（2）、渐变掺杂多量子阱吸收层（3）、电场调控层（4）、倍增层（5）和n型接触层（6），还包括p接触（7）和n接触（8），所述p接触（7）蒸镀在所述p型接触层（1）上且位于重p型掺杂电子阻挡层（2）的外侧，所述n接触（8）蒸镀在所述n型接触层（6）上；所述渐变掺杂多量子阱吸收层（3）包括交替循环生长的多层渐变掺杂量子阱层和无掺杂势垒层，每层所述渐变掺杂量子阱层由具有与光的目标波长相对应的带隙能量的半导体构成；或，所述渐变掺杂多量子阱吸收层（3）包括交替循环生长的多层无掺杂量子阱层和渐变掺杂势垒层，每层所述无掺杂量子阱层由具有与光的目标波长相对应的带隙能量的半导体构成。
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