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龙图腾网恭喜厦门元顺微电子技术有限公司申请的专利一种低温漂电压型带隙基准及高灵敏度负温电压生成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119311072B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411839230.7，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种低温漂电压型带隙基准及高灵敏度负温电压生成电路是由叶道春;杨瑞聪;高耿辉设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低温漂电压型带隙基准及高灵敏度负温电压生成电路在说明书摘要公布了：本发明涉及带隙基准源领域，具体涉及一种低温漂电压型带隙基准及高灵敏度负温电压生成电路，包括曲率补偿模块、带隙基准核心模块、高灵敏度NTC电压模块；所述带隙基准核心模块包括正温度系数电压项产生支路和负温度系数电压项产生支路，所述曲率补偿模块的输出端与正温度系数电压项产生支路和负温度系数电压项产生支路的输入端电性连接，所述正温度系数电压项产生支路和负温度系数电压项产生支路的输出端相连，并输出低温漂带隙电压Vbandgap；带隙基准核心模块采用电压型CMOS带隙基准结构，正温度系数电压项产生支路产生ΔVBE，负温度系数电压项产生支路产生VBE，两者互补生成低温漂带隙电压Vbandgap。

本发明授权一种低温漂电压型带隙基准及高灵敏度负温电压生成电路在权利要求书中公布了：1.一种低温漂电压型带隙基准及高灵敏度负温电压生成电路，其特征在于，包括曲率补偿模块、带隙基准核心模块、高灵敏度NTC电压模块；所述曲率补偿模块、带隙基准核心模块、高灵敏度NTC电压模块的电源输入端均与外部电源VDD1电性连接；所述带隙基准核心模块包括正温度系数电压项产生支路和负温度系数电压项产生支路，所述曲率补偿模块的输出端与正温度系数电压项产生支路和负温度系数电压项产生支路的输入端电性连接，所述正温度系数电压项产生支路和负温度系数电压项产生支路的输出端相连，并输出低温漂带隙电压Vbandgap；所述带隙基准核心模块输出低温漂带隙电压Vbandgap至曲率补偿模块；所述带隙基准核心模块输出低温漂带隙电压Vbandgap和VBE3电压至高灵敏度NTC电压模块，所述高灵敏度NTC电压模块输出负温度电压Vout_N；所述高灵敏度NTC电压模块包括运算放大器OP3、运算放大器OP4、MOS管P4、MOS管N21、MOS管N22、MOS管N23、电容C1和电阻R8、电阻R9、电阻R10；所述MOS管P4的源极和MOS管N22的漏极均与外部电源VDD1电性连接；所述正温度系数电压项产生支路包括分段线性补偿模块，所述分段线性补偿模块输出偏置电压VB1至MOS管P4的栅极；所述带隙基准核心模块输出低温漂带隙电压Vbandgap至运算放大器OP3的同向输入端，所述运算放大器OP3的反相输入端和输出端均与电阻R8的一端电性连接；所述电阻R8的另一端与电阻R9的一端、电阻R10的一端和运算放大器OP4的同向输入端电性连接，所述带隙基准核心模块输出VBE3电压至运算放大器OP4的反向输入端，所述运算放大器OP4的输出端与MOS管N21的栅极、MOS管N23的栅极和电容C1的一端电性连接；所述MOS管N21的漏极与MOS管P4的漏极和MOS管N22的栅极电性连接，所述MOS管N22的源极与电容C1的另一端、MOS管N23的漏极和电阻R9的另一端电性连接，并作为输出端输出负温度电压Vout_N；所述MOS管N21的源极、MOS管N23的源极和电阻R10的另一端接地。

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