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龙图腾网恭喜南京国兆光电科技有限公司申请的专利提升像素稳定性的Micro-LED结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300561B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411793567.9，技术领域涉及：H10H20/80；该发明授权提升像素稳定性的Micro-LED结构及其制造方法是由孙真昊;张伟;彭劲松;丁源;宋琦;杨建兵设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本提升像素稳定性的Micro-LED结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提升像素稳定性的Micro‑LED结构及其制造方法，结构包括：包含阳极反射电极的驱动基底，位于驱动基底上的Micro‑LED管芯，Micro‑LED管芯底部与阳极反射电极的顶部连接；所述Micro‑LED管芯包括从下至上依次设置的空穴类型导电层、优化层、发光功能层、电子类型导电层，包裹阳极反射电极侧壁、Micro‑LED管芯侧壁的钝化层，位于Micro‑LED管芯上的阴极电极；位于驱动基底之上、阴极电极之上、包裹钝化层侧壁的微透镜。本发明所述方法制备的Micro‑LED芯片像素化过程稳定，像素的侧壁质量佳，像素的空间均匀性高。

本发明授权提升像素稳定性的Micro-LED结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种提升像素稳定性的Micro-LED结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、在衬底的表面上自下而上依次生长成核层、过渡缓冲层、电子类型导电层材料、发光功能层材料、优化层材料与空穴类型导电层材料，形成外延全结构薄膜；步骤二、在空穴类型导电层材料表面与驱动基底表面蒸镀金属，形成阳极反射电极材料；步骤三、去除外延全结构薄膜中衬底，使得外延全结构薄膜中成核层暴露；步骤四、进行第一步ICP刻蚀，包括：去除成核层、过渡缓冲层，对外延全结构薄膜进行像素化刻蚀，将电子类型导电层材料、发光功能层材料按照像素位置刻蚀为不连通的若干部分，形成电子类型导电层、发光功能层；步骤五、在电子类型导电层侧壁及之上、发光功能层侧壁生成保护介质层，在保护介质层的侧壁和顶部生成第二步刻蚀掩膜；步骤六、进行第二步ICP刻蚀，包括：在第二步刻蚀掩膜的辅助下对优化层、空穴类型导电层、阳极反射电极的非像素区域进行刻蚀，实现像素间隔离；刻蚀后形成优化层、空穴类型导电层、阳极反射电极；步骤七、在电子类型导电层侧壁、发光功能层侧壁、优化层侧壁、空穴类型导电层侧壁、阳极反射电极侧壁形成钝化层，在钝化层之上、电子类型导电层之上形成阴极电极；步骤八、在驱动基底之上、钝化层侧壁、阴极电极之上形成微透镜；第一步ICP刻蚀中，通过优化层的引入，结合刻蚀参数调控，通过常规刻蚀设备实现第一步刻蚀自停止，ICP腔室气体包括刻蚀气体与环境气体，刻蚀气体与优化层适配实现自停止作用，为SF6、Cl2、BCl3的组合，或Cl2与O2的组合，环境气体为Ar或者N2；第一步ICP刻蚀，分为快速刻蚀与刻蚀自停止阶段，快速刻蚀阶段成核层、过渡缓冲层、电子类型导电层材料与发光功能层材料的刻蚀速率≥2nms；刻蚀自停止阶段优化层材料刻蚀速率≤0.3nms，并且优化层材料与空穴类型导电层材料或电子类型导电层材料之间的刻蚀选择比≥4；优化层起到电子阻挡作用与刻蚀自停止作用。

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