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龙图腾网恭喜中国电子工程设计院股份有限公司申请的专利一种超纯水的二阶净化设备及净化工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119219281B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411759176.5，技术领域涉及：C02F9/00；该发明授权一种超纯水的二阶净化设备及净化工艺是由程星华;杨光明;薛佳卉;温鑫;郑伟;刘澈;张峥;周锋设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超纯水的二阶净化设备及净化工艺在说明书摘要公布了：一种超纯水的二阶净化设备及净化工艺，所述设备包括依次连接的一阶系统和二阶系统；一阶系统将一次纯水处理得到二次纯水，包括除盐单元、第一混合光解吸收器和脱气单元；二阶系统将二次纯水处理得到超纯水，包括膜吸收器、第二混合光解吸收器和脱气超滤单元；第一混合光解吸收器具有第一光解区及其下游的第一处理区，第一光解区的辐射剂量在300‑800mJcm2；膜吸收器包括溶氢膜和供氢管线，为下游第二混合光解吸收器提供充氢水；第二混合光解吸收器具有第二光解区及其下游的第二处理区，第二光解区的辐射剂量在200‑900mJcm2。本发明有效实现了对超纯水各项指标的综合控制，为纳米半导体制造工艺与加工品质提供保障。

本发明授权一种超纯水的二阶净化设备及净化工艺在权利要求书中公布了：1.一种超纯水的二阶净化设备，其特征在于，包括依次连接的一阶系统和二阶系统；一阶系统将一次纯水处理得到二次纯水，包括除盐单元、第一混合光解吸收器和脱气单元；二阶系统将所述二次纯水处理得到超纯水，包括膜吸收器、第二混合光解吸收器和脱气超滤单元；第一混合光解吸收器具有第一光解区及其下游的第一处理区，以水流方向，第一处理区依次包括正电吸附层、络合反应层和离子抛光层，正电吸附层、络合反应层和离子抛光层的厚度比为（1-4）：（8-10）：（1-4）；第一光解区的辐射剂量在300-800mJcm2；膜吸收器包括溶氢膜和供氢管线，用于向二次纯水中充溶氢气，为下游第二混合光解吸收器提供溶解氢浓度在0.05-0.1mgl的充氢水；第二混合光解吸收器具有第二光解区及其下游的第二处理区，以水流方向，第二处理区依次包括催化反应层和离子抛光层，催化反应层和离子抛光层的厚度比为1：（2.5-20）；第二光解区的辐射剂量在200-900mJcm2；第一处理区中，正电吸附层包括正电荷吸附剂，所述正电荷吸附剂为带季铵基功能基团的正电荷吸附树脂或混有带季铵基功能基团的正电荷吸附树脂的混合树脂；络合反应层包括硼吸收剂；离子抛光层包括分别带有碱性基团和酸性基团的混合型离子交换剂；第二处理区中，催化反应层包括负载型金属纳米粒子催化剂；离子抛光层包括分别带有碱性基团和酸性基团的混合型离子交换剂;所述二阶净化设备向超纯水供水管网提供的超纯水水质达到：痕量金属＜0.05ngL、TOC＜0.5μgL、DO＜0.3μgL、B＜0.5ngL、H2O2＜1μgL、大于0.05μm的微粒子浓度＜0.1pcsmL。

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