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龙图腾网恭喜山东华光光电子股份有限公司申请的专利一种基于钙钛矿结构的红光激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119231314B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411718549.4，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权一种基于钙钛矿结构的红光激光器及其制备方法是由吴德华;刘斌;赵军华;刘琦;任夫洋;苏建设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于钙钛矿结构的红光激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于钙钛矿结构的红光激光器及其制备方法，属于半导体量子点激光器领域。本发明红光激光器由下至上依次包括：反射层、P面电极、空穴传输层、钙钛矿有源层、电子传输层和N面电极；反射层是由HfO2层和SiO2层交替堆叠而成；空穴传输层为氧化镍掺杂钪元素；钙钛矿有源层为CsPbBrl2PbSe异质结层。本发明激光器改善了有源区钙钛矿量子点载流子传输效率，提高了红光激光器的输出功率和效率；以F‑P腔模式作为谐振腔，通过增加在工作介质中振荡提升激光光束的输出功率。本发明红光激光器具有构造简单、制备方法简单、散热好、发光效率高、光致发光强度高、阈值电流低、输出功率高等优势。

本发明授权一种基于钙钛矿结构的红光激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于钙钛矿结构的红光激光器，其特征在于，由下至上依次包括：反射层、P面电极、空穴传输层、钙钛矿有源层、电子传输层和N面电极；反射层是由HfO2层和SiO2层交替堆叠而成，反射层的厚度为250-350nm，HfO2层的单层厚度为25-35nm，SiO2层的单层厚度为15-25nm；HfO2层紧贴P面电极的下表面；空穴传输层为氧化镍掺杂钪元素，空穴传输层中钪元素的摩尔量为氧化镍摩尔量的4-6%；钙钛矿有源层为CsPbBrl2PbSe异质结层；电子传输层为镁元素掺杂的氧化锌层，电子传输层中镁元素的摩尔量为氧化锌摩尔量的10-20%；N面电极设置于电子传输层上表面的两侧，两侧N面电极的中间为空气流通通道；钙钛矿有源层的制备方法如下：i、将Cs2CO3、油酸、十八烯充分混合溶解得到Cs-油酸盐；ii、将Se粉末和三丁基膦充分混合溶解得Se-三丁基膦；iii、将PbBr2、PbI2和十八烯混合，在保护气氛下加入油酸、油胺，充分分散均匀后，升温至170-180℃，加入Se-三丁基膦；搅拌加热5-15min后，迅速注入Cs-油酸盐，搅拌反应4-6s后将混合物浸入冷水浴中立即冷却至室温；离心后将沉淀分散在己烷或甲苯中得到CsPbBrl2PbSe量子点分散液；保护气氛下，将CsPbBrI2PbSe量子点分散液旋涂在空穴传输层上表面获得钙钛矿有源层；电子传输层的制备方法如下：将ZnCH3COO2和MgCH3COO2溶于DMSO中得到混合液1；在乙醇中滴入四甲基氢氧化铵水溶液得到混合液2；将混合液1和混合液2混合，经45-55℃搅拌反应0.5-2h，然后经乙酸乙酯沉淀得到ZnO:Mg纳米材料；将ZnO:Mg纳米材料分散于乙醇中，在保护气氛下旋涂在钙钛矿有源层上表面，然后300-400℃、保护气氛下退火5-15min，得到电子传输层。

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