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龙图腾网恭喜烟台齐新半导体技术研究院有限公司申请的专利一种基于阴影掩膜工艺的半导体预制件及预制件制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119191224B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411707766.3，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种基于阴影掩膜工艺的半导体预制件及预制件制备方法是由张子安;黄兆兴设计研发完成，并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于阴影掩膜工艺的半导体预制件及预制件制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于阴影掩膜工艺的半导体预制件及预制件制备方法，应用于半导体制备领域，该预制件包括：层叠设置的待加工半导体器件和阴影掩膜；待加工半导体器件靠向阴影掩膜的第一表面，设置有待加工区域，阴影掩膜沿层叠方向对应形成有裸露出待加工区域的第一通孔；阴影掩膜靠向待加工半导体器件的第二表面，通过图形化热剥离胶与待加工半导体器件连接；图形化热剥离胶为对应第一通孔形成有第二通孔的厚度均匀的热剥离胶。本发明利用厚度均匀的图形化热剥离胶将待加工半导体器件和阴影掩膜连接，保证了二者连接的稳固性，同时能够提高了二者间隙的一致性，设置的图形化热剥离胶经加热会失效，便于在半导体器件制备完成后与阴影掩膜分离。

本发明授权一种基于阴影掩膜工艺的半导体预制件及预制件制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于阴影掩膜工艺的半导体预制件，其特征在于，包括：层叠设置的待加工半导体器件（10）和阴影掩膜（20）；所述待加工半导体器件（10）靠向所述阴影掩膜（20）的第一表面，设置有待加工区域（12），所述阴影掩膜（20）沿层叠方向对应形成有裸露出所述待加工区域（12）的第一通孔（21）；所述阴影掩膜（20）靠向所述待加工半导体器件（10）的第二表面，通过图形化热剥离胶（30）与所述待加工半导体器件（10）连接；所述图形化热剥离胶（30）为对应所述第一通孔（21）形成有第二通孔（31）的厚度均匀的热剥离胶；所述待加工半导体器件（10）为待加工微机电系统（11），且在所述第一表面处，位于所述待加工区域（12）的外侧形成有镂空结构（13）；所述图形化热剥离胶（30）为对应所述镂空结构（13）和所述待加工区域（12）形成有所述第二通孔（31）的厚度均匀的热剥离胶；所述第二表面对应设置所述图形化热剥离胶（30）的区域形成有限位凹槽；所述图形化热剥离胶（30）设置在所述限位凹槽中；所述待加工区域（12）处形成有经物理气相沉积工艺制备的金属层；所述图形化热剥离胶（30）为一种加热后会发泡失去粘性的压敏胶；所述图形化热剥离胶（30）为一体成型制备的图形化热剥离胶；在完成基于阴影掩膜工艺的半导体预制件的制备之后，还包括：对经过物理气相沉积工艺处理的所述基于阴影掩膜工艺的半导体预制件进行加热处理，使所述图形化热剥离胶（30）粘性失效，分离所述阴影掩膜（20）；所述图形化热剥离胶（30）为利用机械裁切工艺或激光切割工艺，去除所述阴影掩膜（20）的所述第二表面处，对应于所述镂空结构（13）的区域内的热剥离胶得到；所述阴影掩膜（20）由提供阴影掩膜预制件，所述阴影掩膜预制件沿厚度方向的一侧表面设置有图形化掩膜层；对所述图形化掩膜层裸露出的所述阴影掩膜预制件进行干法刻蚀得到。

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