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龙图腾网恭喜安徽长飞先进半导体股份有限公司申请的专利半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208383B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411699001.X，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆是由罗成志;伍术;钟敏设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，涉及半导体技术领域，半导体器件包括衬底、外延层、栅极结构、源极、漏极。其中，外延层包括远离衬底一侧的第一表面，外延层还包括阱区、第一区域和第二区域，第一区域设置于第一表面，阱区设置于第一区域的远离第一表面的一侧，第二区域设置于第一表面且位于第一区域和阱区的外侧。外延层还包括第一埋层和第二埋层，第一埋层设置于栅极结构的远离第一表面的一侧，且第一埋层与衬底电接触，第二埋层设置于第二区域的远离第一表面的一侧，且第二埋层与第二区域电接触。通过设置第一埋层和第二埋层改善半导体器件内电场分布，保护栅极结构，提高器件可靠性。

本发明授权半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，被设置为第二导电类型；外延层，设置于所述衬底上，所述外延层被设置为第二导电类型；所述外延层包括远离所述衬底一侧的第一表面，所述外延层还包括被设置为第一导电类型的阱区、被设置为第二导电类型的第一区域和被设置为第一导电类型的第二区域，所述第一区域设置于所述第一表面，所述阱区设置于所述第一区域的远离所述第一表面的一侧，所述第二区域设置于所述第一表面，并从所述第一表面延伸至所述外延层中；栅极结构，从所述第一表面延伸至所述外延层中，且贯穿所述第一区域和所述阱区；源极，设置于所述第一表面，且与所述第一区域和所述第二区域电连接；漏极，设置于所述衬底的远离所述外延层的一侧；其中，所述外延层还包括第一埋层和第二埋层，所述第一埋层和所述第二埋层均被设置为第一导电类型；所述第一埋层设置于所述栅极结构的远离所述第一表面的一侧，所述第一埋层与所述栅极结构之间被所述外延层的部分隔开，且所述第一埋层与所述衬底电接触；所述第二埋层设置于所述第二区域的远离所述第一表面的一侧，且所述第二埋层与所述第二区域电接触。

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