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龙图腾网恭喜安徽长飞先进半导体股份有限公司申请的专利半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208385B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411699006.2，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆是由史田超;伍术;李小昆;邓辉;邹佳欣;谢祥;王子璐设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，涉及半导体技术领域，半导体器件的半导体本体被设置为第一导电类型，半导体本体包括被设置为第一导电类型的第一区域、第二导电类型的阱区以及第二导电类型的第二区域，第二区域及至少部分第一表面与半导体器件的源极连接形成肖特基接触。半导体器件还包括多个被设置为第二导电类型的第一结构。肖特基接触减少了半导体器件导通压降和反向恢复时间以及反向恢复能耗，在续流的过程中不会发生空穴进入到漂移层的问题，降低了器件双击退化的风险，避免外接续流二极管。另外，多个第一结构提高了器件整体的反向特性和栅氧可靠性，从而保证器件长期可靠性。

本发明授权半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体本体，被设置为第一导电类型，包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面设置有栅极沟槽，所述栅极沟槽从所述第一表面延伸至所述半导体本体中；所述半导体本体还包括被设置为第一导电类型的第一区域，所述第一区域设置于所述第一表面；所述半导体本体还包括被设置为第二导电类型的阱区，所述阱区设置于所述第一区域远离所述第一表面的一侧；所述半导体本体还包括被设置为第二导电类型的第二区域，所述第二区域从所述第一表面延伸至所述半导体本体中；栅极结构，设置于所述栅极沟槽内；源极，设置于所述第一表面；所述第二区域及至少部分第一表面与所述源极连接形成肖特基接触；漏极，设置于所述第二表面；多个第一结构，被设置为第二导电类型；所述半导体本体还包括位于所述栅极结构与所述第二表面之间的第一界面，所述多个第一结构设置于所述第一界面靠近所述第二表面的一侧；所述半导体本体包括依次层叠的衬底、第一外延层和第二外延层，所述第二外延层的远离所述衬底一侧的表面为所述第一表面，所述衬底的远离所述第二外延层一侧的表面为所述第二表面；所述第一外延层的远离所述衬底一侧的表面为所述第一界面；所述多个第一结构从所述第一界面延伸至所述第一外延层中。

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